《CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法》
目录
1.引言
2.闩锁的概述
2.1 结构上的起因和集总元件模型
2.2 举例。悬空N阱结构中的闩锁问题
3.闩锁问题的描述
3.1 阻塞态和闩锁态
3.2 闩锁产生的必要条件
3.3 触发方式
3.4 触发方式分类
4.闩锁模型及分析
4.1 早期的闩锁模型
4.2 PNPN集总元件模型的发展
4.3 闩锁的物理分析
4.4 安全区-阻塞态的严格定义
4.5 饱和区模型
4.6 闩锁的图解说明
4.7 集总元件模型的修正
4.8 动态闩锁效应
5.闩锁特性的测量
5.1 测量仪器
5.2 两端特性的测量
5.3 三端和四端特性的测量
5.4 开关转换点特性的测量
5.5 保持点特性的测量
5.6 动态触发
5.7 温度关系
5.8 非电探针测量
5.9 闩锁特性测量总结
6.闩锁的防止
6.1 版图设计布局规则
6.2 破坏双极特性的工艺技术
6.3 双极去耦工艺技术
6.4 CMOS的设计考虑
6.5 无闩锁的设计
7.总结
附件
闩锁效应.rar (3.34 MB)
本来正在运行的电路，因受干扰或内部出错而僵住于某个状态，都可算是闩锁效应。
对于恒压源供电的电路，饱和闩锁是不允许的，若电源是恒流源，则截止性闩锁将造成灾难，可控硅及λ二极管都是双稳器件，在模块里头的电路，元件间的隔离通常使用PN结而不是绝缘物，这往往就凑合出「可控硅或λ二极管」来，
除了有自激之虞外，还会因前级严重饱和而失去反相关系，导致放大器级数由奇变偶而闩锁（阻塞），这是多级集基耦合大环路负反馈放大器受超强干扰时可能发生的故障，不过，由于各级电路是並联的且均有直流负载，闩锁不会导致电源短路或开路，
狭义的闩锁效应，是指CMOS或IGBT这类器件的 可控硅效应，这专题在网上的图例多的是，而且画法千篇一律，我的图不过是把画法改了，使「可控硅」更像可控硅（而实质上，是IGBT化的SCS）而矣，
按常理，CMOS本身是几乎不会直通的，但如果有负载，则任何一只MOSFET开通都会有电流，这电流若然老老实实地在MOSFET里通过，那敢情是好，问题是沟道跟衬底一体且阻值相若，沟道电流或会往衬底扩散，任何一只MOSFET开通，这个「SCS」都会被触发，「SCS」一开通，电源即被短路，不管闩锁与否！
欲使pnpn四层器件可以触发关断或防止闩锁，办法有几种，引入了阴极或阳极短路法乃其一， 在IGBT中，须去除的是MOSFET潜在的NPNBJT功能，短路要在阴极，在GTO中，需要足够高的通断增益(减小触发功率)，短路要在阳极，至于SCS嘛，对称器件对称处理，阴阳两极都短路了， 好文献很有用的扁平线圈电感制造厂学会使用万用表学会使用万用表
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[充电器]电池u和usb供电二极管切换，usb去掉后，usb1，图片是供电前端，二极管切换供电方式。 2，问题一：电池和usb同时供电时，现拔掉usb，在usb口仍然能检测到电压，电池6.5V时，usb端口有3.1V电压； 问题二：现在在电池口接入直流稳压电源，稳压电源6.5V，重复上面操作，拔掉usb后，usb口只有0.2V电源。 请各路大神指教，只是用直流电源代替电池，为什么二极管的反向压降会出现这么大变化？如何解决第一个问题？你这个测试很有毛病，如果，V_USB已经撤除，却能量到3.1V电压，先不这电压哪来，这个时刻Q12将完全导通，而Q14