用OB2263的芯片加4N60做的12V2A电源在客户那不装机测试有5%-10%有开机瞬间烧场效应管,OB2263,0.5R的现象,我自己加高AC输入到255V减小到160V都没有出现问题,现在还毫无头绪,望各位达人不吝赐教
我拆了实物绘制如图:结合官方推荐图好像对的
@ymyangyong上面有共模电感和压敏的啊
0.5R电阻用0.5w以上的。再看变压器漏感是不是偏大了。
这个跟我做的空气净化器有点像的
R10为什么要选择1.1M这个奇葩参数?10K不行吗? 太大了有可能造成栅极“悬空” 。 样机上真是1.1M么,这也太吓人了...... 我加10K也测试了没有什么效果,你们说芯片怎么测真假,我怀疑芯片买的是假的 跟昂宝的代理拿货会比较靠谱吧 你好,我们是做昂宝。力生美代理的,可以提供样品和方案测试。电话15817295689 QQ 505251889 帖子上个头条,大家一起来讨论
已经被添加到社区经典图库喽
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空载高压启动会发生变压器饱和
1)初级线圈偏少------这个可以利用示波器在高压启动瞬间触发观察检流电阻波形
2)反馈环路响应稍慢------431补偿最好加上比例环节;光耦取电最好在滤波电感之前
祝好运
空载高压启动会发生变压器饱和解决方法:1.初级线圈增加,2.在431加上比例环节。那比例环节怎么加望告知下
用示波器测试一下MOS管的工作波形看看,变压器有没有绕错。
先看看空载开机时检流电阻的波形确认是否存在饱和现象。从描述来看可能性很大。
观察波形时,输入电压不要缓慢调节,这样没有意义,高压时(如265Vac)直接上电。
431补偿不变,通常初级线圈增加会解决在高压空载启动时的饱和问题。
最好是RC补偿。
1. MOS管三只脚间的间距是否足够,在开机瞬间是否出现了放电拉弧现象?
2.测试DS电压,是否超出了MOS的耐压值.
3.测试高压开机瞬间的浪涌电压和电流是否符合要求.
会不会RD1的阻值47K太大了?放小点阻值看看,来个1K甚至更小,在尝试拿个3KV的电容并在开关管的漏极跟地看看 我局的有可能是电阻太大,能量泄放不及时,然后是变压器加上VCC会双倍电压,导致MOS被击穿 我跟的帖子呢?我说错了什么?只炸了MOS管?还有其它坏的吗?
更换其它品牌的MOS管试一下
还有就是看看客户的输入电压是否稳定
sense脚建议最好加个RC补偿,这款芯片我们公司用过好多机型都有加RC补偿.希望对你有用. 0.5R的电阻功率也太小了一点吧 驱动电阻下面加一个10K左右电阻。 烧MOS管一般的情况:1、启动时,DS端的电压超过MOS管的耐压。2、变压器饱和,导致MOS管烧毁。。。可能的原因:1.MOS脚间距不够,DS极间有放电击穿,建议PIN脚做成Y型,脚间距最少0.8mm。
2.输入电压?如果用高压测试MOS应力不够也会击穿。
3.最后还有一种可能,过波峰焊所用的助焊剂成分含量和杂质的问题,容易引发第一条的情况。
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1V 50kA 同步整流开关电源方案 本人正在优化10V 50kA的开关电源,计划将二极管整流改为同步整流,有推荐的MOSFET型号吗?
估计得用250A-600A的mos管并联。
你直接说,你是干啥的
你的1伏,标题应当认真,这个玩
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