

一般优秀的变压器设计者都会让每层绕满,只有完整的绕组才能保证良好的耦合
绕不满的话可以双线或多线并绕
关于疏绕还是密绕要看是什么层,
次级的话一般不能疏绕,会影响带载能力
初级疏绕的话EMI比较难处理
反馈可以疏绕,







我觉得哪张绕法都一样保证绕出来后线圈保持在中心就好啦~~~
最好是设计变压器的时候算好~~~尽量不要出现这种情况~~我看别人都是在两边加一下非漆包线的介质让漆包线绕在中间即可~~ 哪种绕法都一样,这种说法可不敢恭维啊,兄弟。 像次级和VCC绕组采用疏绕或密绕有时就会有很大的差别。这个问题有时还很难察觉,小批量试产可能会没问题,一到大批量就会发现问题了。 路过关注学习疏绕容易出问题。。。
一般是VCC电压在输入低压时太低。。。。
导致满载到空载时,,,输出电压会一直跳变。。。
辅助绕组也要密绕是吗?
那就是说通常变压器里所有的绕组都要密绕了,对吗?
可以加挡墙调整
反馈绕组 自供电绕组大多会有这样的情况,我的做法是疏绕,密绕也有那就是尽量绕在骨架中间,最怕是密绕还只在骨架的一侧,这样这个绕组的输出电压就会跟随主输出绕组的负载轻重,输入电压高低而变化。有好多靠检测VCC做OVP保护的芯片就会表现为带重载后关断PWM。
一般初级都会想办法饶满,可以合理的控制线径或加挡墙来处理。而且初级一般都会采用密绕吧。同意真版的意见啊...果然是高手,呵呵...
疏绕和密绕,差别在于耦合系数的不同 还有一个问题,疏绕和密绕对EMC会有什么影响? 密绕对EMC要好一些 这个要看实际情况吧! 嗯 换成DAC不可以吗若绕不满的话,我习惯性的采用居中密绕,哪种绕法好还得以实测EMI结果为准。
你说的居中密绕,是针对所有绕组而言嘛?
怎么会鄙视你呢,你想多了,兄弟,哈哈...
很少居中密绕的。。。除非是安规过不了。。。用挡墙。。。是的,很多时候安规距离过不了会增加挡墙以增加安规距离。这里想问一下,增加的挡墙胶带的材质有什么要求吗? 我一般要求厂家均匀绕制......
绕不满一层的时候均匀绕制吗?这样不也算疏绕吗?
算疏绕 是啊,也是疏绕。 算!还有顺绕和反绕效果也不一样
能详细的讲一讲吗,冰上鸭子老师?

反绕是不是同名端就变了....
我刚开始的时候一直弄不清楚这个同名端异名端在绕制变压器的时候到底要怎么定义,后来也是在电源网上看帖子,知道所有的绕组都朝同一个方向绕制时,起始端即为同名端。现在假设绕一个反激变压器,初级绕组从1脚开始绕制,3脚结束。次级绕组从6脚开始绕制,8脚结束,两个绕组的绕指方向一一致,那么1脚和6脚是同名端。
如果我次级绕组是和初级绕组反方向绕制呢,还是从6脚开始绕制,8脚结束,那么是不是1脚和8脚成了同名端啊?
正绕反绕同名端不变,只是绕线方向改变!区别是有0.几杂的相差,还有是磁场的变化方向相反
能否详细说明,对您所说的正反方向有点搞不清
比如正绕有交叉线,反绕没有,你想想看,1到8 有两个方向可以绕
正反绕电生磁场的方向相反右手螺旋定则 好像是初中物理书上有的

和分几个脚没关系,你就当很常用的来看,比若说EE10,EE13都行。
在绕组密绕不能绕满骨架一层时,可以散绕均匀分布绕满骨架一层我支持这种绕法。 我一般也是按这种方法绕的。

不见得,如果匝数少绕不满一层,2边垫很宽档墙的话漏感也不比疏绕小
是这样的吗? 绕得越密,漏感越小吧!真版讲的是匝数少绕不满一层的时候,是会那样的。而我们所讲的是针对普遍的一种情况能绕满层的时候。
看来说什么还得加一个前提条件才好,要不然会让人误会的。
是啊,有前提的!
哦,我还以为同样的起始点在正绕和反绕后,同名端会发生变化呢.


非也!如果初级绕满了一层,次级密绕不满一层的话,此时要想初级对次级的漏感小,那只有将次级疏绕1层,也就是增加初级与次级的耦合系数。增加了耦合系数,其他条件相同的话,纹波也会小些,但也带来了一个问题:分布电容的增加。主要看取舍了
还是兄弟说的全面...请教,
如何控制好均匀呢,
批量时 如何控制好一致性呢,
这个...俺也不晓得变压器厂家是如何控制的,
我觉得密绕比较好,然后尽量往中间放~~

支持我们队友的帖子
3Q!

分布电容对什么有影响
对EMI的都有影响吧,个人见解....不对勿拍!不饶满一层对输出纹波的影响是怎么样的
对输出纹波也有影响啊?这个还真不知道啊,没关注过.... 没有影响的吧!不满一层那么分布电容肯定就不一样,自然要影响输出共模噪声

不满一层,漏感会大,尖峰电压会高,对取样端有影响,然后反馈到控制端
以前做PC电源时碰到过(辅助电源,用的IC是TOP22几,时间久了,忘记了,E19的变压器),输出纹波大,想了多种办法,最终还是要变压器生产厂家主要疏绕,然后轻松解决


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