产品分类
MOS管DS间增加330pF电容 瞬间容易死机的原因
作者： 来源： 时间：2019-03-19 08:31:14浏览量：
MOS管DS间增加330pF电容 瞬间容易死机，原理是什么？？
330pF电容，MOSFET打开的瞬间，电容放电，MOSFET的电流应该超过了“安全工作区”。
所以挂了。
但在一些EMI对策时，会在DS并电容
这样有没有好的措施防止炸机？
要这么大的电容的话，就在电容上串联2个电阻，能抑制尖峰，MOSTET也没有那么容易炸，要不就换小的电容，把MOSFET的驱动电阻加大。MOSFET的D极套上磁珠。扁平线圈电感制造厂片式电感成为主流随着电子信息产业的快速发展，传统的插件电感器已无法满足下游电子机的需求，而具有体积小，成本低，隐蔽性好，可靠性高，适合高密度表面安装片式电感已广泛应用于移动通信，计算机，汽车电子，高分辨率广播电视，卫
ESP904在ROV控制体系中的应用 0 引言以太网串口服务器可以将配有串口的设备连接到局域网或广域网中，并实现仪表设备的串口数据帧和以太网数据帧之间的相互转换和发送，从而通过以太网启动工业设备的串口， 将工业生产中的远端设备所发送的串
【讨论】MOS管也可以自己保护 最近在选大功率线性稳压功率调整管时发现一个非常奇葩的问题。
测试过英飞凌的IGBT模块，英飞凌的IGBT单管，中科君芯的IGBT单管，ST的MOS，FSC的MOS，英飞凌的MOS。。。。。