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[充电器]2-10节高压大电流充电管理芯片HB6296应用指南
作者:    来源:    时间:2022-06-29 10:09:03浏览量:

HB6296应用指南 一:电流检测电阻设法靠近HB6296,检测电阻上电压信号很弱,为减少干扰,必须靠近HB6296,应用图上对应的R17.二:Regn上电容必须靠近HB6296,越近越好。

三:这款ic是经典的降压电路,电感计算公式可以参考。

四:电感计算公式:L=(Vin-Vbat)*Ton/(Imax/D)。

其中D是占空比,Ton=T*D。

L=(Vin-Vbat)*T。

T是开关周期,Vbat取3.7*n节。

HB6296的开关频率是变的,电压高是350K,(T=2.8us)。

电压低是1.8us。

对4节锂电,输入电压25V,输出电流5A。

则L=(25-14.8)*1.8us/5A=3.6uH。

五:散热。

对于低压(小于35V),我测试的结果HB6296不需要加散热片,P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身带散热片,外面可以不加。

如果驱动2个上管mosfet,Icc会上升到20ma,这时P=(35-5.4)*20ma=600mw,应该考虑加散热片。

Mosfet的散热也要特别讲究。

主要要考虑上管(pwm管)。

六:mosfet选择最好要用Ciss小的,tr,tf比较短的,mosfet。

这样mosfet发热少,HB6296发热也少。

但是也不能太少,太少电感波形太陡,emc和emi过不去,也干扰HB6296。

七:为了emc和emi的考虑,主电流回路要越短越好,交流回路也要越短越好,特别是lx这个net上,交流通路可以用4.7uf的瓷片电容放置相关的地方,比较有效的减少交流通路的长度。

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