前几天一个朋友让我帮忙给做个小功率变频器（500W）用作振动盘控制器，虽然我没做过逆变相关的东西（直接和220打交道的东西只在刚毕业那年做过一点没啥经验）但是本着多学习的态度就答应了下来。
学了几天SPWM就上阵了。
今天板子打回来焊接完毕（由于手头有几个从旧板子上拆下来的标注为K20T60的IGBT，于是就用它代替了图中的IRF840）。
先接弱电测试一下，唉好用；然后上220（负载为12V10W的工频变压器，二次侧开路接示波器），唉也好用。
加上电位器调频调幅功能，先上弱电，好用。
再上220，NTC（RT1）爆了。
用万用表一测，Q2和Q4直接挂掉了（三个腿两两导通），整流桥也挂了。
更换了损坏的器件，上弱电测试然并卵，信号只有上半周并且过流，估计Q1和Q3也挂了。
求大神看看这个电路图问题出在了那里。
本帖最后由 tianxj01 于 2018-7-16 23:32 编辑 如果MOS管，死区一般可以在500nS以内，所以用IR2104驱动是安全的。
但是IGBT空载的拖尾效应，这个死区时间是不够的，初次做，缺少最佳死区时间经验，最好是4个管子单独驱动，采用IR双路输入的半桥驱动芯片为好，死区从几个us做起，每个合适的IGBT都有比较合适的死区时间，这个就不给出直接数据。
其实采用下半桥工频方波，上半桥PWM驱动，可以避免死区等很多问题，把输出级驱动问题完全简单化，而且还能提高效率。
补充一下，IR悬浮驱动的自举电容，采用10n很明显小了。
经验必须远大于100n，比如1uf什么的才可以保证上臂驱动的正常供电。
tianxj01 发表于 2018-7-16 23:25如果MOS管，死区一般可以在500nS以内，所以用IR2104驱动是安全的。多谢多谢。但是IGBT空载的拖尾效应，这个死区时间是 ...
tianxj01 发表于 2018-7-16 23:27补充一下，IR悬浮驱动的自举电容，采用10n很明显小了。图上不清楚，用的10uF自举电容。 扁平线圈电感制造厂经验必须远大于100n，比如1uf什么的才可以保证上臂驱 ...
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