贴片电感
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请教一下,工程上为什么不用3个PMOS+3个NMOS的方式做全桥驱动而用6个NMOS做全桥驱动
作者:    来源:    时间:2018-05-27 11:54:43浏览量:

请教一下,工程上为什么不用3个PMOS+3个NMOS的方式做全桥驱动而用6个NMOS做全桥驱动

大侠请指教

路过 一个是驱动方面,一个PMOS多贵啊! 那没其他因素么

低壓可以, 高壓就麻煩了...

1). P_MOS因為製程關係, 越高壓則Die Size(晶片尺寸)需要越大, Die Size越大則價錢越貴, 且目前P-mos 做到400V已經不錯了, 問題400V夠用麼?

2). P-MOS在關斷時, G-S極必須低於一個Vth, 當你P-MOS的S接腳接到500V, 那驅動部份High 必須拉到500V-Vth ,沒這種高壓的驅動, 再者, 打開時 Low必須高出一個Vth, 問題時N-MOS必須關掉, 因此Low Active 必須是500V-Vth , 但是MOSFET 的VGS最多+/-25V - 30V而以阿...

3). P-MOS的關斷速度慢, RDSon高, 耐電流不大, 用這種有何意義?

6个NMOS做全桥驱动能做的,为什么想用3个PMOS+3个NMOS的方式做全桥,电路也不会简单高效。扁平线圈电感制造厂
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