各位大侠们好；
没做过开关电源哈，一LED灯厂老板要做12V/15A开关电源，成本当然是最主要的。开工前对啥是正激、反激基本不了解。好在有点电子的基本功底，选方案时开始临时抱佛脚，才知道一些基本理论，低成本就只能选反激了。但反激做200W的不是很多，买了个听说是名牌（JS说的）100W电源来解剖，又在
本论坛找到近似功率的文章数据做参考用E13540绕变压器数个，在我理解开关电源功率大小就是开关管、变压器大小不同而已，直接替换下“名牌100W”变压器试，结果当然是一塌糊涂，因当时还不知道要留气隙。没办法，只好一个个原件地去了解，在本论坛找答案，通过多次参数、数据调试。基本完工。需然完工了，但我对自己做出的东西是否正确还是不清楚的。所以发帖求正，同时感谢本论坛几位高手“心中有冰”“世界真奇妙”等大侠的文章。
原理图；
工作条件、参数；
输出； 1);+12V/15A, 满负载压降0.3V
2)+24V/1.5A
输入；AV 90-230V
散热条件；140 X 140 X 2 mm铝片做成U型+风冷。
PCB图，
空载MOSFET D上波形.JPG -10倍探头
12V 8.5A时MOSFET D上波形.JPG，-10倍探头。此时温度（24小时煲机）应在70度左右，无风冷。
12V 16A时MOSFET D上波形.JPG，-10倍探头，应在85度以上，40X40 12V 风冷。
12V 16A时MOSFET D上波形头展开图.JPG -10倍探头
12V 16A时MOSFET D上波形尾部展开图.JPG，-10倍探头，8.5A时有个缺口，16A时没啦。
同上面介绍的一样，我不知啥叫正常，还有很多波形图上不了。
效率测试；用IT8512输出是86%（15A时）用电流表监测输入电流电压侧是93%（应是功率因数未补偿吧）。
温度不用说啦，不要风冷肯定是不行的了，140 X 140 X 2 mm的散热远远不够。
MOSFET管发热不大，13N60,18N60,20N60我都试过，满功率长期工作均无问题。主要温度在整流管，我目前用的是MBR3010 整流半桥并联，不知合理否。
以上求大家评论。再次谢谢大家了。
厉害！看不到图啊！没发过图片，我是先弄到我的相册里在COPY过来的，咋看不见呢？？？？
我用复制沾贴，我看到图片了，你们能看到吗？请多提意见。
看到图片了，mbr30100有什么问题呢？ 用同步整流的话效率会高一点。别冷场了，请大侠们跟进，根据你们所掌握的正确电路、波形多提意见！！
波形正确，第一次能搞这么好很不错的
私下说句，赚的钱老板拿了，但风险要自己去承担。
可以频繁送样，但最好先不要急着量产，多花点时间去认真测试、优化，为今后设计的大功率反激产品打下坚实基础。
另外，市场上200W的LED电源产品，几乎都是LLC。
回复9帖；小凡凡 回复8帖qinzutaim 3842强悍啦。没有贬低的意思，这个产品用反激设计，特别是无PFC的情况下，存在极大的设计风险...........
最低90VAC输入，200W功率，单个TO-220封装的管子，EI40磁芯，15A输出用一两个小电解电容。从输入到输出的元器件，都明显存在严重的裕量不足，更何况LED电源一般大多都是满负荷运行.........
对于LED电源，很多芯片公司有很多完整的设计方案，可以直接参考，成本算下来也不一定会相差太大。老板实在不同意的话，就用反激设计在窄范围输入，风险也会小很多（国内产品没必要搞低压输入，其实很多公司的LED电源也是这么设计的），或者低压降额使用（低压输入自动限制输出功率），最大程度去规避可能预料到的风险。
回复13帖；小凡凡此类产品，采用电流模式控制芯片、较细的线径（相对较多的匝数）、较大气隙及最小漏感设计可很大程度提高产品的可靠性。
原理图看的不是很清楚：
1、变压器采用最小漏感设计，尽量控制在2%以下（EI40做到1%以下比较难）；
2、KRP控制在0.40-0.66之间（中心柱气隙0.5～0.8mm，以漏感比值及中心柱气隙来确定LP（KRP），视情况而定。
3、RCD缓冲，D最好采用HER20X，R不要小于3W，C的容量在4.7nF-10nF之间；
4、MOS管的驱动电阻取10～47欧，不要考虑EMI，如果会改版，就再加一个PNP管；
5、VCC采用线性稳压供电，且VCC电容不可低于47uF，耐压不低于50V，最好用100 uF/50V。
采用UC3842，有太多的人吃过此亏；因为VCC重视不够，采用22 uF电解，甚至10 uF……….
6、限流电阻也不能取得过小，否则低压全满载开机容易损坏，最好是手动调整设置，必要时从HVDC拉个电阻下来；
7、PIN3的RC缓冲参数：R、C取值均不可过大，以获取最快保护速度；
这才是我真正需要的嘛！谢谢了哈！！
我目前用的是EER40 PC40，初次级均用0.31按5A/mm平方并绕，自己绕漏感能控制在3%，我抽查了下批量只能控制在5%内就不错了。按初级电感量350uH定的中心柱气隙,具体是多少我倒没测试过。除漏感外基本满足你的经验。
关于RCD，我目前只用RC，22R 2N2 ，HER20*我比较了MBR3010的带流正相压降，所以就选MBR3010了，满功率老化它的温度最高，肯定也是损耗最大的地方，估计也是最有提升潜力的地方。我会抽空再试试。包括同步整流。
MOS管驱动电阻就是G极电阻吧，22R并4148.你是说再给MOS管加PNP驱动？这我真没想过。一定玩下。
UC3842 Vcc 与另一组24V、1.5A我在实验时花的功夫最大，上灯光厂看到整个系统后才放心24V这一组，对方在这里有一组15V/3A PWM隔离系统。我就专一搞Vcc，查阅很多网上资料，最后将该组绕在最外层再加一个小电感（原理图中无），并调整到HVDC阻值，首先保证低压起动的同时高压满负荷不超过最高值并留有余量。基本不需线稳压了。
PIN3上拉我是接在VCC上的，这个不知会不会有问题。原方案PIN3的RC缓冲C取103 配1K并大量炸机，不懂开关电源的我也发现这是个问题，现在用的是221，包括到4PIN的斜率补偿。我是参照“名牌机”改的，会不会小了点。
"关于RCD，我目前只用RC，22R 2N2 ，HER20*我比较了MBR3010的带流正相压降，所以就选MBR3010了，满功率老化它的温度最高，肯定也是损耗最大的地方，估计也是最有提升潜力的地方。我会抽空再试试。包括同步整流。"
HER20X指的是初级绕组缓冲二极管，不要用HER107、FR107之类的二极管.........
EER40，把漏感比值做到1-1.5%应该比较容易；5%的漏感，意味着全满载工作，漏感中将会存储10W的能量...........
如果是CCM模式设计，尽量不要采用带同步整流设计。
哦，这个呀，我用的是HER208,电容用的103+47K/3w，温度也较高。问一下，如D极上冲波不是很高的话能否降低电容值、加大电阻值降低热量及稍提高效率呢？
变压器在小功率时就有温升（不风冷时），应是漏感造成的，看来工艺必须提高才行。
同步整流只是玩而已，老板哪会同意！
降低RCD缓冲的电容值没有意义，可能使情况更坏，103/1KV够了，在这个地方有些人会使用薄膜电容。电阻值看实际损耗等可以再适当提高，但在RCD上似乎提高不了多少效率！可能的话，可以用一个10-47欧电阻串在103/1KV电容下面。
关于CCM模式设计，尽量不要采用带同步整流设计。
我还没弄懂各个模式，正在学习中，针对你这句话，我能不能这样理解，反激电源除靠电感储能外必须靠整流二极管、电解组成放电回路，同步整流会破坏或对这一过程不利。那整流二极管准确的说是续流管了。
同理，反激式开关电源整流后的第一个电解电容（CL前）实际并不是单纯的滤波，而是能量变换原件之一。我反复考虑过该问题，如这样的话这个容值就不是越大越好了。它必须根据电压、电流、频率来取最佳值，我在本坛暂时没找到关于这个疑问的解答。
关反激的输出级：
输出绕组：原边储能并通过耦合，在次边绕组两端产生交流脉冲；
二极管：就只起到整流作用，将此交流脉冲整流成直流脉动脉冲；
前级电解电容：在次级绕组放电期间，输出绕组（电感）与该电容一起组成LC滤波器，将直流脉动的脉冲串平均成直流成分；
后级LC滤波：进一步滤除开关频率成分，与环路有关系；
按照理论计算，前级的电解电容确实可以用很小容量的电解。但实际情况是，目前的电解电容ESR过高，不能承受过大的纹波电流，长期使用往往会导致电容温升过高，直接爆掉。
CCM尽量不采用同步整流，其最大的问题是变压器（电感）中包含直流成分，同步控制所需的开通、关断信号无法快速、准确检测。目前有些芯片在一些特点条件下可以可靠工作在CCM模式，但需要的是更多的实验测试和厂家的技术支持等。
哦，明白了，谢谢！发的什么图片啊, 看都看不了
你电脑有问题。
也许我 屏幕太小了吧
看不清楚
能不能把你的详细资料发我信箱呢
谢谢
高人啊, 给点资料
不错，学习啦，图纸能清晰些就更好啦。
我找下，重发高清图出来哈。
变压器是通过无数次实验得到的最佳数据，但要注意铁心质量，我选了几个变压器厂，都是PC40，但结果赌博一样，质量差的直接炸机，因我老化全是90%功率自然冷。高温磁饱和炸机电路保护是起不了作用的。
UC3842_200w_sch
修改了温控开关位置，原来那个位置如起控是要烧IC的，改后为打嗝保护。还有；如满载200W必须强风冷才行。如引用到24、48V输出效率更高，36V以上可自然冷。
PCB有改，就不发图了。
有问题请随时提出。
变压器看不明白
你好，那你当时这个电源可靠性，怎么样？变压器资料看不清楚，能否上个图看一下
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