产品分类
最基本的boost电路的电感振动并有响声
作者： 来源： 时间：2018-10-14 20:38:33浏览量：
小弟是初学者,做了一个最基本的boost电路,输入12.5v,采用蓄电池供电;输出28v,使用很大的滑线变阻器做负载(一个能流过2.5a,使用3个并联);使用ti的uc3843做控制芯片,频率45khz;电感是自己绕的,测出来大概50u.开始负载较小(60w一下)的时候工作还正常,功率大了就开始振动并有很大的响声,而且影响到我的pwm波形.用示波器可以很明显的看到波形边沿(宽度)在抖动,显示的频率值也是从40k到90k跳动;因为我的控制芯片也是直接从蓄电池供电,发现片子的供电也是在抖动,我不知道该怎么办了,请各位给我支招,感想万分!
你的ct/rt三角波是不是被干扰了?看看vref?
波形测出来好像各处的波形都受影响,三角波在电感不振动的时候都不是很好,特别是在波谷的地方毛刺比较严重,但上升过程和下降过程还比较光滑;电感开始振动后(用手可以感觉到),在pwm波形的下降沿处,三角波也开始有毛刺.
调一下L1的参数,你现是不是发现,两个MOSFET都很烫啊,
L1的参数不对,你要认真的算一下!!! 我没有计算过电感值,只是做仿真看一下结果(仿真看不出振动),从仿真结果来看,电感值要求不是那么精确,50u到150u都可以,只是电感值小的时候电感电流脉动较大,mosfet的电流脉动也大.但是我也只能等电感绕好以后再测试电感值,根据气隙大小不同而不同,但是为了使电感值尽量大(我做的一个24股21匝的最大只能到50u),我把气隙尽量减小,结果还是振动,我发现计算值和实际做出来的实在是差太远了.
想问一问大哥的是我这种只做仿真不计算的方法对不对?我觉得要计算各种参数实在太难了,请介绍一点经验吧,先谢谢了! 電感用的什麼磁芯? 磁芯用的是ETD39,什么材料不清楚,因为实验室只有这么一种,就用了这个. 请问你是用什么仿真 3843的供电要和开关管隔离并加滤波, 排版也很重要. 我这个隔离要怎么做呢?不可能加变压器吧?我想加一个7812之类的做稳压会不会好一点? 3843控制部分应该与MOS功率器件隔离,隔离可以考虑TLP250光耦,效果不错. 控制部分的隔离是指芯片的输出驱动mosfet隔离?还是反馈隔离?上面那位兄弟说道供电也隔离?好像输出是必须要隔离,万一mos管烧穿,片子的输出就会短路,可能会烧坏芯片.反馈要隔离吗?我还是不知道供电怎么隔离?指点一下吧,谢谢! 还有一个问题是能不能把接在mosfet下面用来做电流检测的小电阻接到与负载串联呢?流过mosfet的电流实在太大了,这个电阻必须很小很小,功率又要大,损耗很严重.如果接到后面还有没有保护作用? 檢測電流電阻不能和負載串連,因為它們流通的電流不一樣:檢測電流電阻流過的是脈沖電流,負載流通的是直流. 这个电路功率比较大,如果3843的供电不和功率部分隔离,会影响3843工作的稳定性. 隔离只要加rc或lc滤波网络应该就可以了. 我在给3843供电的7号脚串联了一个20欧的小电阻,前后分别用大电容100u和小电容0.1u滤波,pwm波形好了一点,没有了前端的尖峰. 我觉的你的你的参数有问题,3脚的参数不对 R11也太小了,MOSFET的峰值開關電流有1000A?太離譜了! 不知道你用什麼磁芯繞電感,如果電感的飽和電流不夠1000A,系統會產生很大的瞬間電流沖擊控制電路並且產生叫囂聲;用電腦軟件仿真不會發現問題,因為軟件認為電感都是理想的;UC3843在這個電路裡面被你應用成電壓控制型的了. 这个电路是有很多问题的,我实际做仿真的时候不是用的这张图,因为pspice里面没有uc3843的模板,做不了仿真.而且我现在做试验的时候也没有做电流检测,3脚的电流检测是使用的uc3843datasheet上面给出的一种接法.按照仿真mos管里面的电流有38a左右,我本来打算使用4个0.1欧(10w)的电阻并联,再用datasheet上面说的调整电路把3脚的电压极限降为0.8v左右,但这样的4个电阻体积太大,损耗也太大了,所有我想把电阻放到和负载串联,直流应该没有问题啊,只要电压不超过1v?我做试验的时候可以直接把3脚接地的.
1090136064.pdf 如果我仿真的时候不使用理想的二极管Dbreak,使用一个实际的管子,仿真就会因为二极管反向电流太大,功率大时候电压上不去.(我做试验用的是u1620,pspice库里面没有,mosfet是irf3710,库里面也没有,就随便选了一个) 我把仿真文件(太大,少了一个boost-schematic1-bias.dat文件,应该没有问题吧)打个包发给大家帮我看看吧,谢谢各位了.
另外我这个电路希望能做到350w,(电流太大,才选用两个mosfet并联),boost电路做这么大的功率是不是不太可能啊?上面一位大哥说我电感太小了,我从新做了一个电感,结果还是振动,干扰其他部分,是不是我电感做的不合格啊,请各位指导一下到底要怎么样才能把电感做合格呢?(我用了15股并用,30匝,以前用的是21匝)谢谢!
1090137127.rar 電感不是小了,而是大了,電感量可根據L=(dv/di)*dt來計算,di應該取130A左右,dv大約10V,dt你看著辦,關鍵是電感飽和電流應該大於130A,3腳電流取樣電阻可用2只0.015歐姆10W的電阻並聯. 麻烦大哥说一下di为什么要取130a左右,dv为什么要取10v?我在TI的一个例子里面看到断续状态(DCM)下
R is the load resistance andts is the period of one switching cycle. 这样我这个算出来电感也就5uh,而如果在连续状态(CCM)下,
这样算出来就应该大于36uh,但我却一直不知道我这个电路到底应该在断续条件下还是在连续条件下工作,请大哥指点一下,谢谢!
TI 很好的例子SLVP088 20 V to 40 V Adjustable Boost Converter Evaluation Module User’s Guide1090305866.pdf 別稱呼我大哥,我不好意思;di是根據你給的輸出功率.dv.電源估算效率按照電流臨界連續工作狀態計算出來的,dv是根據檢流電阻最大壓降加MOSFET導通壓降得來. 计算不错，有用
v1是12.6v,截图时没有截好.输出28v 电感太大,电容太小,再则你的输入电源是不是能够给出这么大的功率啊,有没有看输入是不是不稳定啊. 我用一个汽车用的蓄电池(12v,256A,54Ah)供电,功率没有问题,输入是比较好的电流.我最先绕的一个电感值是10u左右,结果工作在断续状态,管子发热.我一直认为我这个电路应该工作在连续状态,不知道是不是错了? 你的管子发烫是应为你工作在电感电流不连续状态,效率低,从而你的管子损耗大.
boost电路工作在连续状态下效率会提高到很多,这样可以保证你的MOS管的工作的安全性,
我现在也在做BOOST电路,我的要求是输入19.2V~26V,输出100V~125V,功率1000W
希望能够交流下
我的QQ429381582
电话 13469983045 根据TI资料上给出的公式,电容的确是小了,我这个地方至少要取2200u.
TI公司很好的讲解boost电路的资料,不过还是没有弄懂我电感该取多大,电感怎么制作才合格,哪位大哥帮我补补课吧,感激不尽.Understanding Boost Power Stages
1090306234.pdf 你看看两个MOS由3843驱动在功率比较大时,是否能够驱动.另外再算算电感,把3843的反馈增益带宽降低一点.2脚和一脚之间加加阻容反馈.看能不能有所改善.输入端最好也加上滤波电解. 唉,我发现用boost做这么大的功率本身就彻底失败了,我决定修改拓扑. 看了半天沒明白,你到底要做多大功率的? 350w,给点建议我该使用什么拓扑?理论上说好像推挽或者半桥可以做到100-1000w,但根据下面这张表,输入好像又不在这个范围了啊,我要做12v输入,28v输出.我是郁闷死了!
这个拓扑是可以的。选择这个拓扑是看你的效率要求，以及是不是要隔离，功率不是问题，选型正确就可以
根据我的维修经验，44KHZ是芯片的最佳工作点。我是测量了很多电源得出的结论。剩下的就研究占空吧，尽量不要PFM。除非你的元件性能参数优异。扁平线圈电感制造厂
你的ct/rt三角波是不是被干扰了?看看vref?
波形测出来好像各处的波形都受影响,三角波在电感不振动的时候都不是很好,特别是在波谷的地方毛刺比较严重,但上升过程和下降过程还比较光滑;电感开始振动后(用手可以感觉到),在pwm波形的下降沿处,三角波也开始有毛刺.
调一下L1的参数,你现是不是发现,两个MOSFET都很烫啊,L1的参数不对,你要认真的算一下!!! 我没有计算过电感值,只是做仿真看一下结果(仿真看不出振动),从仿真结果来看,电感值要求不是那么精确,50u到150u都可以,只是电感值小的时候电感电流脉动较大,mosfet的电流脉动也大.但是我也只能等电感绕好以后再测试电感值,根据气隙大小不同而不同,但是为了使电感值尽量大(我做的一个24股21匝的最大只能到50u),我把气隙尽量减小,结果还是振动,我发现计算值和实际做出来的实在是差太远了.
想问一问大哥的是我这种只做仿真不计算的方法对不对?我觉得要计算各种参数实在太难了,请介绍一点经验吧,先谢谢了! 電感用的什麼磁芯? 磁芯用的是ETD39,什么材料不清楚,因为实验室只有这么一种,就用了这个. 请问你是用什么仿真 3843的供电要和开关管隔离并加滤波, 排版也很重要. 我这个隔离要怎么做呢?不可能加变压器吧?我想加一个7812之类的做稳压会不会好一点? 3843控制部分应该与MOS功率器件隔离,隔离可以考虑TLP250光耦,效果不错. 控制部分的隔离是指芯片的输出驱动mosfet隔离?还是反馈隔离?上面那位兄弟说道供电也隔离?好像输出是必须要隔离,万一mos管烧穿,片子的输出就会短路,可能会烧坏芯片.反馈要隔离吗?我还是不知道供电怎么隔离?指点一下吧,谢谢! 还有一个问题是能不能把接在mosfet下面用来做电流检测的小电阻接到与负载串联呢?流过mosfet的电流实在太大了,这个电阻必须很小很小,功率又要大,损耗很严重.如果接到后面还有没有保护作用? 檢測電流電阻不能和負載串連,因為它們流通的電流不一樣:檢測電流電阻流過的是脈沖電流,負載流通的是直流. 这个电路功率比较大,如果3843的供电不和功率部分隔离,会影响3843工作的稳定性. 隔离只要加rc或lc滤波网络应该就可以了. 我在给3843供电的7号脚串联了一个20欧的小电阻,前后分别用大电容100u和小电容0.1u滤波,pwm波形好了一点,没有了前端的尖峰. 我觉的你的你的参数有问题,3脚的参数不对 R11也太小了,MOSFET的峰值開關電流有1000A?太離譜了! 不知道你用什麼磁芯繞電感,如果電感的飽和電流不夠1000A,系統會產生很大的瞬間電流沖擊控制電路並且產生叫囂聲;用電腦軟件仿真不會發現問題,因為軟件認為電感都是理想的;UC3843在這個電路裡面被你應用成電壓控制型的了. 这个电路是有很多问题的,我实际做仿真的时候不是用的这张图,因为pspice里面没有uc3843的模板,做不了仿真.而且我现在做试验的时候也没有做电流检测,3脚的电流检测是使用的uc3843datasheet上面给出的一种接法.按照仿真mos管里面的电流有38a左右,我本来打算使用4个0.1欧(10w)的电阻并联,再用datasheet上面说的调整电路把3脚的电压极限降为0.8v左右,但这样的4个电阻体积太大,损耗也太大了,所有我想把电阻放到和负载串联,直流应该没有问题啊,只要电压不超过1v?我做试验的时候可以直接把3脚接地的.
1090136064.pdf 如果我仿真的时候不使用理想的二极管Dbreak,使用一个实际的管子,仿真就会因为二极管反向电流太大,功率大时候电压上不去.(我做试验用的是u1620,pspice库里面没有,mosfet是irf3710,库里面也没有,就随便选了一个) 我把仿真文件(太大,少了一个boost-schematic1-bias.dat文件,应该没有问题吧)打个包发给大家帮我看看吧,谢谢各位了.
另外我这个电路希望能做到350w,(电流太大,才选用两个mosfet并联),boost电路做这么大的功率是不是不太可能啊?上面一位大哥说我电感太小了,我从新做了一个电感,结果还是振动,干扰其他部分,是不是我电感做的不合格啊,请各位指导一下到底要怎么样才能把电感做合格呢?(我用了15股并用,30匝,以前用的是21匝)谢谢!
1090137127.rar 電感不是小了,而是大了,電感量可根據L=(dv/di)*dt來計算,di應該取130A左右,dv大約10V,dt你看著辦,關鍵是電感飽和電流應該大於130A,3腳電流取樣電阻可用2只0.015歐姆10W的電阻並聯. 麻烦大哥说一下di为什么要取130a左右,dv为什么要取10v?我在TI的一个例子里面看到断续状态(DCM)下
R is the load resistance andts is the period of one switching cycle. 这样我这个算出来电感也就5uh,而如果在连续状态(CCM)下,
这样算出来就应该大于36uh,但我却一直不知道我这个电路到底应该在断续条件下还是在连续条件下工作,请大哥指点一下,谢谢!
TI 很好的例子SLVP088 20 V to 40 V Adjustable Boost Converter Evaluation Module User’s Guide1090305866.pdf 別稱呼我大哥,我不好意思;di是根據你給的輸出功率.dv.電源估算效率按照電流臨界連續工作狀態計算出來的,dv是根據檢流電阻最大壓降加MOSFET導通壓降得來. 计算不错，有用
v1是12.6v,截图时没有截好.输出28v 电感太大,电容太小,再则你的输入电源是不是能够给出这么大的功率啊,有没有看输入是不是不稳定啊. 我用一个汽车用的蓄电池(12v,256A,54Ah)供电,功率没有问题,输入是比较好的电流.我最先绕的一个电感值是10u左右,结果工作在断续状态,管子发热.我一直认为我这个电路应该工作在连续状态,不知道是不是错了? 你的管子发烫是应为你工作在电感电流不连续状态,效率低,从而你的管子损耗大.
boost电路工作在连续状态下效率会提高到很多,这样可以保证你的MOS管的工作的安全性,
我现在也在做BOOST电路,我的要求是输入19.2V~26V,输出100V~125V,功率1000W
希望能够交流下
我的QQ429381582
电话 13469983045 根据TI资料上给出的公式,电容的确是小了,我这个地方至少要取2200u.
TI公司很好的讲解boost电路的资料,不过还是没有弄懂我电感该取多大,电感怎么制作才合格,哪位大哥帮我补补课吧,感激不尽.Understanding Boost Power Stages
1090306234.pdf 你看看两个MOS由3843驱动在功率比较大时,是否能够驱动.另外再算算电感,把3843的反馈增益带宽降低一点.2脚和一脚之间加加阻容反馈.看能不能有所改善.输入端最好也加上滤波电解. 唉,我发现用boost做这么大的功率本身就彻底失败了,我决定修改拓扑. 看了半天沒明白,你到底要做多大功率的? 350w,给点建议我该使用什么拓扑?理论上说好像推挽或者半桥可以做到100-1000w,但根据下面这张表,输入好像又不在这个范围了啊,我要做12v输入,28v输出.我是郁闷死了!
这个拓扑是可以的。选择这个拓扑是看你的效率要求，以及是不是要隔离，功率不是问题，选型正确就可以
根据我的维修经验，44KHZ是芯片的最佳工作点。我是测量了很多电源得出的结论。剩下的就研究占空吧，尽量不要PFM。除非你的元件性能参数优异。扁平线圈电感制造厂
请问这个恒流源电路的确定基准电压后，怎么选取采
先设定好IC1-1正端输入的电压基准，再反算R7就可以了；或者先设定R7，根据流过R7的电流，可以计算出R7上的电压，再反推正向端的基准电压。
431的基準點是2.5V, 假設你VR1打到最大
[开关电源]过流保护电路该如何设计，采用一款优质电源作为电子产品的供电设备，除了性能要满足供电产品的要求之外，其自身的保护措施也很重要，如过流、过压、过热保护等。 一旦电源没有设计过流保护，在输出短路或过载时会导致电源烧毁，还有可能进一步引起电子产品损坏，甚至引起操作人员的触电及火灾等事故，而电源的过流保护跟采用的MOS管有关。 所谓的过流保护，就是在输出短路或过载时对电源或负载进行保护，目前对电源过流保护有好几种形式，如恒流型、恒功率型等，但是这些限流电路的设计都离不
[开关电源]12VDCDC开关电源，输入12V时，输出电压多请教各位大佬，我有个设备需要输入6~12V，电源一般用3s锂电池，可以直接给设备供电。 但有些电池是4s的，为了避免拿错电池，烧坏设备，想通过DCDC电源模块供电，一般要求输入比输出高1.5V，如果输入12V，那么输出电压是多少呢，这个状态是可以长时间使用的么？这个要看你选择的芯片来定，一般都在1-2v的压差即可。 用DC-DC来控制，也就只看你采用的是那种芯片，这类芯片做的好点的，可以到0.8V压降以内，在最低压降，额定功率使用，是安全的，不需要担心。 按照最大占空比
上一篇：3kW BUCK电感设计需要帮助