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N沟导MOS异常
作者： 来源： 时间：2019-06-11 07:54:47浏览量：
坛友们如上AO3162.pdf原理图中K2 MOS 老化冷却后再次通电损坏比例非常高但在老化过程中重复进行开关均很正常，关于损坏机理为何？目前一头雾水，初步怀疑因开启是MOS导通深度不够导致MOS承受功率过高损坏，但是实际测试功率并不高完全在规格范围内并且还有不小余量，另外我们将K2换成耗尽型的N MOS并将DK改为10欧姆电阻后就没有出现不良了。还请各位坛友指导指导。
过温损坏可能性比较大。老化时监测下mos的温度。 问题是老化的时候他不坏无论怎么开关冲击都不坏，在电源冷却后（停机1至2小时在开机就启动不了）一检查又是k2 GS漏电或击穿。 这就奇怪了，可能是器件本身有缺陷吧。 已经被添加到社区经典图库喽http://www.ruishen.net 扁平线电感/bbs/classic/扁平线圈电感制造厂
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自己做的反激电源摊上事了，，求解 做一个小电源，DC--DC，在MOS（3n150)关断时电流下降慢，直接三极管关断还是一样，将MOS换为（9N150）后如图二
求解惑，
图二
由于当时波形没拍，大概画了一下。