本帖最后由 ZFSONG 于 2020-4-5 09:43 编辑 最近做一个产品，用到MOS驱动。

硬件本来就是知道甚少，借鉴别人设计的电路，被MOS管驱动IC 的自举电路给搞晕了。

MOS有自己的自举电路，如下驱动时，是否可行？这个自举到底能达到多少V呢？D3C2耐压值如何确定？如下图当前测试条件：1、电路LIN 悬空。

2、HIN=5V.3、测量Ho电压4148右侧约56V。

4、补充，实际测试时，没有加负载。

问题：1、电路是否可行？2、如果可行，驱动Ho的56V是否正常？3、如果可行，自举的目的是否是根据MOS的电源变化，可以把Ho处电压动态提高，以维持VGS的压差？不能優，這樣的電路有問題。

要有Low side mosfet才能確保自举電容的穩定電壓來導通high side mosfet.若你只要驅動High side mosfet, 建議使用Single channel high mosfet driver.http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/ucc27282.pdf手册里都有解释，只是好多是英文的VS脚直接接S极，亦即R2=0Ω 。

VS脚，不可以另外加这么高的阻抗接入，正常情况，哪怕你下管取消，也必须直接接入上管的源极。

自举的物理意义，在于上管不开通时候，VS脚必须能可靠拉到GND或者接近GND的电位，所以，你现在这样的线路，和你后续线路直接相关，只是这样一个线路，无法正确讨论。

比如你现在线路图负载端接的是一个足够小的电阻负载，或者是一个电感加续流二极管，则正确条件，该点在上管截止时候，是可以正确的回到GND附近，自举成功。

否则，则自举失败。