AD7625采用LVDS接口，可实现业界具有突破性的动态性能，信噪比为92 dB（6 MSPS），具有16位（1 LSB）积分非线性（INL）性能。 ADR434 基准电压源（4.096 V）为低噪声、高精度的XFET基准电压源，具有较低的温度漂移。其源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。
ADR434提供8引脚MSOP或8引脚窄体SOICC封装。 AD8031 运算放大器可将 ADR434 输出端与 AD7625的基准电压输入隔离开来，为REF输入端的瞬态电流提供低阻抗和快速建立。
双驱动器仅需要54 mW，与135 mW的ADC功率、12 mW的基准电压源和缓冲相加，整个电路仅产生201 mW的总功耗。
电路使用+7 V和−2 V电源，用于 ADA4897-1 驱动器的输入，以最大程度降低功耗， 实现最佳系统失真性能。 ADA4897-1 输出级是轨到轨的，采用5 V单电源供电时，在150 mV和4.85 V之间摆动。但是，范围两端的额外2 V裕量可以提供低失真。
图2显示输入级使用+7 V和−2 V电源的电路交流性能。SNR= 88.6 dB，THD = −110.7 dB，20 kHz输入信号比满量程低0.6 dB（93%满量程）。
图2. 双电源（+7 V，−2 V）供电的AD7625和ADA4897-1，SNR = 88.6 dB，THD = −110.7 dB，基波幅值 = 满量程的−0.6 dB
图3. 单电源（5 V）供电的AD7625和ADA4897-1，SNR = 86.7 dB，THD = -101.1 dB，基波幅值 = 满量程的−1.55 dB
图3显示输入级使用5 V单电源的电路交流性能。SNR = 86.7dB，THD = -101.1 dB，20 kHz输入信号比满量程低1.55 dB（84%满量程）。
电源电压从−2 V，+7 V降低至0 V，+ 5V，数据显示SNR大约降低1.9 dB，THD大约降低9.6 dB。扁平线圈电感制造厂
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反激变压器磁芯损耗图片是铁硅铝粉末磁芯的损耗曲线。 我做的是反激，断续，10khz，峰值3A，输出6-7W, 2个37匝的绕组绕在一个90u的磁芯上，磁芯体积5.34立方厘米。 按照它的磁化曲线拟合公式，得到B约等于10千高斯，再结合这张图发现损耗快到2W了，太高了。 B值这么大，请问是我计算的问题还是选材的问题呢？还有B和F的单位是千高斯和千赫兹吗？10千高斯=1特斯拉。 你真敢用，哪怕铁硅铝是合适做高磁密的线圈，设计到正常工作磁密500mT是了不起了，首先得确定截面积，然后根据最大电
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