图 1：120W、24V、5A 输出降压-升压型稳压器具 8V 至 56V 输入范围和高达 98.5% 的效率，而且易于并联。
这个 120W 电路板在 12V 输入时，最热组件 (开关 MOSFET) 的温度上升仅为 20°C，如图 2a 所示。该电路板仍然有裕度，可以在 12V 输入时提供更大的输出功率，或者用较低的 VIN 提供 120W，而组件温度不会过度上升。请注意，更大的输出功率需要相应地提高输出电流限制。当以低至 8V 输入工作、提供 120W 输出且没有强制空气流动或散热措施时，这个标准 4 层 LT3790 PCB 上的组件温度仍然低于 97°C (在室温时)。为了以同样有限的温度上升和输入电压范围提供显著增大的功率，可以并联两个或更多 LT3790 转换器，而且并联非常容易实现。
(a)
请问阻容降压为什么不能带动态负载或容性、感性阻容降压，电容为0.082uF，给MCU供电，MCU驱动继电器，结果把MCU的引脚烧坏了，请问阻容降压方式为什么不能接动态负载？
有没有完整的线路图?
可能是驱动线路问题?
图呢？有限流和过
高压桥试驱动电路
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
这是四相步进电机同管的桥式驱动电路，
驱动信号可采用单片机。
电流可达6A，保护功能齐全。
反激变压器磁芯损耗图片是铁硅铝粉末磁芯的损耗曲线。 我做的是反激，断续，10khz，峰值3A，输出6-7W, 2个37匝的绕组绕在一个90u的磁芯上，磁芯体积5.34立方厘米。 按照它的磁化曲线拟合公式，得到B约等于10千高斯，再结合这张图发现损耗快到2W了，太高了。 B值这么大，请问是我计算的问题还是选材的问题呢？还有B和F的单位是千高斯和千赫兹吗？10千高斯=1特斯拉。 你真敢用，哪怕铁硅铝是合适做高磁密的线圈，设计到正常工作磁密500mT是了不起了，首先得确定截面积，然后根据最大电