仿真的帖子删除，来点实际的。
图1
如上图所示MOS管的驱动电路（PMOS图上画错，正确的应该是S级接18v）。
分析如下
当Vb输入低电平时，Vg也为低电平【1】，|Vgs|≈18v，MOS管导通，上下两个三极管都不导通。
当SE555输出高定平时，即Vb为高电平，三极管8050导通，三极管工作在放大区（Vbe＞Von && Vce＞Vbe），Vg=Vb-0.7=15-0.7=14.3（近似值）。|Vgs|≈18-14.3=3.7, MOS管为完全关断。
我有几点疑问希望可以有人给我解惑
【1】为什么Vg为低电平，如果两个三级管都没有导通，为什么会出现低电平？
对于这个问题，我有两个猜测，
1）,用万用表测试的不正确，Vg实际上是高阻态。
2) ,Vg的低电平，是由于三极管的漏电流产生的。
不知道大家认为哪个靠谱一些，或者有其他可能的原因，还望大家多多指导。
对于以上理论分析，下面是几组测试数据
图2
|
|VGS| /V PMOS 的D级 /v
|
分析：图1中使用的电路，无法完全关断MOS管，且在工作过程中，下边的三极管8550，一直没有工作。
为了验证8550没有工作，把8550用电阻替换，如下图所示
图 3
更换后，奇迹的事情发生了，MOS管可以正常的工作也可以关断，就是出现一个不好的现象，当Vb输入最大时（约15v），VGS最小电压为3.315比表一中的要大，输出电压也较高，测试R6为2.5K.然后继续增大R6至11K,VGS最小电压为3.257v，输出电压为2.409v，有效果，但是效果不明显。
还有一点就是图1中R16(50K)电阻对电路的影响，我试过去除，发现这个电阻对电路的影响微乎其微，也可能是我分析，测试的不对，希望大家可以指正。
希望找到，输入电压低的，但是可以完全关断的电路，，，
为什么没有人回复？ 你那VCC1是8V，就是Q1的基极最高是8V，Probe1有8V就不错了，严格的说应该是8-0.7V再减去R2的压降！
明显电路错误。
求指点 对比下4楼的图，1楼PNP下管接错了。上管导通的时候，输出电压不会比输入高，否则BE极变成反偏了。
是这样的吗？貌似结果差不多啊
这个仿真，貌似三极管的 C.E可以通用啊。 对上下管来说，实质上就是射极跟随器，只进行电流放大。 输入的电平是8V，而图腾柱是20V，三极管根本不可能工作在开关状态，而是放大状态 是不是输入要大于20V ,此时三级管工作在开关状态。 一般取20V就足够了，三极管工作在开关状态的条件是|Vce|<|Vbe| 恩恩，对的。 基础知识点，记住了 怎么判断是否在开关状态? 三极管的开关状态：发正集反是放大；全正饱和全反截。发射结，集电结的偏置。 大家快来看看我分析的对不。。无语!!!
建议回家找本模电再啃3个月!
请问，单稳态输入，推挽电路中pnp三极管导通吗？这个三极管有什么作用？
你把MOSFET的G-S极并联一个100UF电容试试，（不过10R的电阻要加大一些,比如1K，否则三极管会坏的）。再给驱动电平看看。并且试着拿掉其中一个三极管看看效果。（不要拿电阻等效三极管，不然几秒钟之后测量又啥也看不到了。）
100uf电容？是不是有点大啊？ 是让你理解三极管怎么导通用的。没有让你去实际使用。再不行，去啃书本去吧。 没有人指点啃3年都没有用啊.
悔不当初好好学
我这就去啃。管自己，还给了老师
按照你的分析，高电平时，|Vgs|≈18-14.3=3.7V，PMOS为关闭状态。
那么关断瞬间，gs电容电压是不会突变的，所以Vgs还是3.7V，G极电位只比18V低3.7V为14.3V，下面的三极管是开通的，电源18V->GS电容的S极->G极->电阻->下面的三极管->地->电源18V，形成电流回路，电容充电，G极电位下降，下面的三极管逐渐关闭，最后关闭了，G极电位也几乎下降到地，虽然已经关闭了，但是电容的S极被锁定到18V，还是因为电容电压不能突变，所以G极被锁定到比18V低约18V的电位，也即是几乎为地
扁平线圈电感制造厂ALD1102双P沟道MOS有哪位大侠知道，有国产或者进口的可以代替ALD1102的双P沟道MOS么？听说ALD1102的MOS停产了，谢谢有这MOS的供应商请留下联系方式是否可以用APM4953代替？
我想做一个无线电能传输装置，我想在原边产生一个我想做一个无线电能传输装置，我想在原边产生一个可调的正弦波信号，经过信号放大，再经过线圈的并联谐振，这样行吗？那个谐振频率怎么找啊？还有就是怎么调节副边使其和原边的谐振频率
三极管的输出特性曲线问题网上好多人说，三极管在饱和区时的电流会大于放大区的电流，但为什么输出特性曲线上看饱和区电流小于放大区电流呢？还有一个就是，三极管即使是在饱和区，Ic不再随Ib增大而增大，但Ic还是大于Ib的，那为什么说在饱和区三极管就没有放大能力呢？两个问题。 。 有点懵你把这个这张图提取出来这一段，表示三极管有一个最小导通等效电阻（如果跟mos管比的话）。 比如当vce电压很小的时候，三极管不能在把自己的等效导通电阻降低。 于是三极管的ic跟ib不能形成一