图中有功率地PGND，还有三角形和三横线GND，在画原理图中，该使用三种地中的哪一个如何选择？选择何种地的依据是什么？有没有关于不同地的选择相关文档？谢谢
自顶没有完整的原理图也没法给你分析这些地干嘛的。
在一个模拟控制的电源中通常会有两个地，功率级一个地，控制部分一个地，两者通过0R电阻或小电感串起来。
在数字控制电源中会有三个地，功率级一个地，数字控制为数字地，然后采样或参考电压部分为模拟地，这三个地也要通过0R电阻串起来。
这样的目的主要是为了防止功率级跳变信号造成控制部分地的跳变。
当然，如果你板子足够大空间，整个系统铺一个很大很大的地平面参考也行。
由于噪音可能会在导体传播，对噪音敏感的部分和产生噪音的部分，制板时地一般需要分开，使用不同符号，甚至用低阻元件隔开，可以简化原理图和制板之间的信息传递，并简化制板工作。
扁平线圈电感制造厂自己做的缓启动电路，为什么总是烧MOS管电路是这样，输入电压110V，缓启动后面接了两个220uf电容。 以前同样的电路实验没有问题，后来几年后也是同样的电路拿出来用，结果烧MOS管。 我猜测原因如下，不知道对不对，请各位大神指教。 电源上电的时候，为了测试实际情况，采用空气开关，也就是断路器上电。 1、Mos管在启动的时候，因为栅极平台电压时间过长，导致此时电流很大，但是同时Vdc又有110VDC电压，因此导致MOS管过功率损坏短路。 。 2、还有可能就是断路器上电的时候，内部弹片接触打火，导致MOS
[DCDC]关于BUCK的100% Duty Cycle问题现在很多BUCK 同步降压芯片都有100% Duty Cycle的功能，比如MPS的MP1601。 我觉得应该是输入电压下降到接近或者小于等于额定输出电压时，进入100% Duty Cycle状态，此时，输出电压不再等于额定输出电压，只是跟随输入电压，100% Duty Cycle状态下，同步降压芯片的上管导通，下管截至。 这样IC本身的功耗应该最低（在IC工作电压范围内），不知道我的分析对不对，请各位指教下。 上管是P管的话可以 100% duty cycle，如果是N管的话，不可能达到100%不亦心
反激变压器磁芯损耗图片是铁硅铝粉末磁芯的损耗曲线。 我做的是反激，断续，10khz，峰值3A，输出6-7W, 2个37匝的绕组绕在一个90u的磁芯上，磁芯体积5.34立方厘米。 按照它的磁化曲线拟合公式，得到B约等于10千高斯，再结合这张图发现损耗快到2W了，太高了。 B值这么大，请问是我计算的问题还是选材的问题呢？还有B和F的单位是千高斯和千赫兹吗？10千高斯=1特斯拉。 你真敢用，哪怕铁硅铝是合适做高磁密的线圈，设计到正常工作磁密500mT是了不起了，首先得确定截面积，然后根据最大电