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TMS320C6201 DSP处理器与FLASH存储器接口设计
作者： 来源： 时间：2014-12-15 10:47:20浏览量：
在加电后，C6201／C6701可采用直接从零地址(只能为外部存储器)开始执行程序的不引导方式工作；也可采用辅助DMA先自动从宿主机HPI端口或外部CEl空间(8／16／32位ROM)加载64K字节程序至零地址(片上存站电感厂家器或外部存储器)，然后再从零地址开始执行程序的引导方式工作。C6201／C6701的这些工作方式由上电复位时5个引导方式管脚BOOTMODE[4：0]的信号电平决定，这些电平信号还决定地址映射方式是采用某种类型、速度的外部存储器为零地址的MAPO方式，还是采用片上程序存储器为零地址D6 MAPl方式。这种结构特点大大增加了系统设计的灵活性。在引导工作方式中，当零地址为片上程序存储器时，程序直接从高速256位宽的片上程宇存储器并行执行，能充分发挥DSP的高速性能；而其它工作方式中，程序是从外部慢速32位宽的存储器开始出行执行。因此，基于C6000的嵌入式系统一般采用引导三片上程序存储器执行的工作方式，如表1所示。
2 FLASH存储器MBM29LV800BA 2．1 MBM29LV800BA介绍 MBM29LV800BA是FUJITSU公司生产的1M×8／512K×l6位的FLASH存储器，其管脚信号如图2所示。／BYTE为×8或×16工作方式配置管脚(／BYTE接低时为×大功率电感贴片电感器8方式，地址线为[A-1，A0，…A18]共20根，数据线为DQ[0：7]，数据线高8位不用；／BYTE接高时为×16方式，地址线为A[0：18]共19根，A-1，不用，数据线为DQ[0：15])；RY／*BY为表示FLASH就绪或忙的管脚(它是集电极开路引脚，多个RY／*BY管脚可通过上拉电阻直接"线与"连接)。
MBM29LV800BA具有许多特点，主要如下 单电源3．0V读、编程写入、擦除； 与JEDEC标准的命令集和引脚分布兼容； 增加了快速编程写人命令，写入仅需两个总线周期； 具有至少100 000次的编程写入／擦写寿命； 灵活的扇区结构支持整片内差模电感容擦除、任一扇区内容擦除、相连续的多扇区内容并行擦除； 具有嵌入式编程写入算法，可自动写入和验证写入地址的数据； 具有嵌入式擦除算法，可自动预编程和擦除整个芯片或任一扇区的内容； 具有数据查寻位和切换位，可以通过软件查寻方法检测编程写入／擦除操作的状态； 具有RY／*BY管脚，可以通过硬件方法检测编程写入／擦除操作的状态； 自动休眠功能，当地址保持稳定时，自动转入低功耗模式； 具有低电压禁止写入功能； 具有擦除暂停／擦除恢复功能， 2．2 MBM29LV800BA的主要命令及嵌入式算法 MBM29LV800BA的编程写入及擦除命令如表2所示。其中，X为十六进制数字的任意值，R片状电感器A为被读数据的FLASH地址，RD为从FLASH地址RA读出的数据，PA为写编程命令字的FLASH地址，PD为编程命令宇，SA为被擦除内容的扇区地址。 MBM29LV800BA具有嵌入式编程写入和擦除算法机构，当向FLASH写入数据内容或擦除其扇区内容时，需要根据相应的算法编程才能完成。其编程擦除算法流程为：首先写编程擦除命令序列；然后运行数据测试算法以确定擦除操作完成；其编程写入算法流程为：程序开始，首先验证写入扇区是否为空，不空则运行擦除算法；然后运行编程写入算法，写编程写入命令序列，再运行数据测试算法或查询RY／*BY管脚信号以确定该次操作完成。地址增1继续上述过程，否则结束操作；数据测试算法主要是测试DQ7和DQ5位的数据变化，以确定泫次操作是进行中、完成、还是失败。
3 C6201／6701与FLASH的接口设计 基于C6000系列DSP处理器的嵌入式系统往往采用地址映射方式为MAPl的ROM引导方式。这种方式是把开发成功的敝入式可执行程序烧写在CEl空间(从0~01400000地址开始的ROM存储器)中，并根据引导方式设置相应的引导模式管脚BOOTMODE[4：0]。这样，当嵌入式系统上电工作时，从复位信号的上升沿开始，辅助DMA把执行程序从引导ROM中移至片上程序存储船中，然后在片上程序存储器开始执行程序。这种方式呵充分发挥C6000系列DSP的并行结构特点，具有最好的执行性能。当引导ROM器件采用FLASH存储器MBM29LV800BA时，C6201／C6701与FLASH存储器以8位方式连接的接口设计如图3所示。FLASH的地址线[A-1，A0，…A18]与DSP的EMIF接口地址线[EA2，EA 3+…，EA21]直接相连；FLASH的低8位数据线DQ[0：7]与EMIF接口数据线[ED0，…，ED7]直接相连，高8位数据线DQ[8：15]不连接；一体电感读写使能信号可直接相连；EMIF接口的片选信号／CEl与字节使能信号／BE0"相与"后与FLASH的片选信号相连；FLASH的方式信号／BYTE接地；由于EMIF接口的ARDY信号为低时，DSP自动插入等待时钟周期，因此，FLASH的就绪或忙RY／*BY信号经上拉电阻直接与ARDY信号相连，这种设计使FLASH的编程写操作可不运行数据测试算法，大大简化了程序设计；C6201／C6701与FLASH以16位或32位方式相连咱6接口设计与8位方式类似。扁平线圈电感制造厂
2 FLASH存储器MBM29LV800BA 2．1 MBM29LV800BA介绍 MBM29LV800BA是FUJITSU公司生产的1M×8／512K×l6位的FLASH存储器，其管脚信号如图2所示。／BYTE为×8或×16工作方式配置管脚(／BYTE接低时为×大功率电感贴片电感器8方式，地址线为[A-1，A0，…A18]共20根，数据线为DQ[0：7]，数据线高8位不用；／BYTE接高时为×16方式，地址线为A[0：18]共19根，A-1，不用，数据线为DQ[0：15])；RY／*BY为表示FLASH就绪或忙的管脚(它是集电极开路引脚，多个RY／*BY管脚可通过上拉电阻直接"线与"连接)。 MBM29LV800BA具有许多特点，主要如下 单电源3．0V读、编程写入、擦除； 与JEDEC标准的命令集和引脚分布兼容； 增加了快速编程写人命令，写入仅需两个总线周期； 具有至少100 000次的编程写入／擦写寿命； 灵活的扇区结构支持整片内差模电感容擦除、任一扇区内容擦除、相连续的多扇区内容并行擦除； 具有嵌入式编程写入算法，可自动写入和验证写入地址的数据； 具有嵌入式擦除算法，可自动预编程和擦除整个芯片或任一扇区的内容； 具有数据查寻位和切换位，可以通过软件查寻方法检测编程写入／擦除操作的状态； 具有RY／*BY管脚，可以通过硬件方法检测编程写入／擦除操作的状态； 自动休眠功能，当地址保持稳定时，自动转入低功耗模式； 具有低电压禁止写入功能； 具有擦除暂停／擦除恢复功能， 2．2 MBM29LV800BA的主要命令及嵌入式算法 MBM29LV800BA的编程写入及擦除命令如表2所示。其中，X为十六进制数字的任意值，R片状电感器A为被读数据的FLASH地址，RD为从FLASH地址RA读出的数据，PA为写编程命令字的FLASH地址，PD为编程命令宇，SA为被擦除内容的扇区地址。 MBM29LV800BA具有嵌入式编程写入和擦除算法机构，当向FLASH写入数据内容或擦除其扇区内容时，需要根据相应的算法编程才能完成。其编程擦除算法流程为：首先写编程擦除命令序列；然后运行数据测试算法以确定擦除操作完成；其编程写入算法流程为：程序开始，首先验证写入扇区是否为空，不空则运行擦除算法；然后运行编程写入算法，写编程写入命令序列，再运行数据测试算法或查询RY／*BY管脚信号以确定该次操作完成。地址增1继续上述过程，否则结束操作；数据测试算法主要是测试DQ7和DQ5位的数据变化，以确定泫次操作是进行中、完成、还是失败。 3 C6201／6701与FLASH的接口设计 基于C6000系列DSP处理器的嵌入式系统往往采用地址映射方式为MAPl的ROM引导方式。这种方式是把开发成功的敝入式可执行程序烧写在CEl空间(从0~01400000地址开始的ROM存储器)中，并根据引导方式设置相应的引导模式管脚BOOTMODE[4：0]。这样，当嵌入式系统上电工作时，从复位信号的上升沿开始，辅助DMA把执行程序从引导ROM中移至片上程序存储船中，然后在片上程序存储器开始执行程序。这种方式呵充分发挥C6000系列DSP的并行结构特点，具有最好的执行性能。当引导ROM器件采用FLASH存储器MBM29LV800BA时，C6201／C6701与FLASH存储器以8位方式连接的接口设计如图3所示。FLASH的地址线[A-1，A0，…A18]与DSP的EMIF接口地址线[EA2，EA 3+…，EA21]直接相连；FLASH的低8位数据线DQ[0：7]与EMIF接口数据线[ED0，…，ED7]直接相连，高8位数据线DQ[8：15]不连接；一体电感读写使能信号可直接相连；EMIF接口的片选信号／CEl与字节使能信号／BE0"相与"后与FLASH的片选信号相连；FLASH的方式信号／BYTE接地；由于EMIF接口的ARDY信号为低时，DSP自动插入等待时钟周期，因此，FLASH的就绪或忙RY／*BY信号经上拉电阻直接与ARDY信号相连，这种设计使FLASH的编程写操作可不运行数据测试算法，大大简化了程序设计；C6201／C6701与FLASH以16位或32位方式相连咱6接口设计与8位方式类似。扁平线圈电感制造厂
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