应该是电感量大容易饱和
dB=(L*dI)/(Ae*N)
式中，dB是磁通密度的变化量，L是电感，dI是电流变化量，Ae是有效横截面积，N是匝数
在其他量固定时，显然是L越大，dB越大
首先反激变压器是有气隙的，气隙大的自然不容易饱和，气隙大了，电感量会变小！
其次如果两个变压器气隙相同，根据公式N=V*D/（Ae*B），这个公式可知，B越小，N越大，进而电感量越大。所以得到电感量越大，B越小，越不容易饱和。这个分析是建立在B值没有直流分量的时候！如果B值有了直流分量，即进入了CCM模式，那么这个公式分析的只是B值得交流分量！这个时候与饱和度有关的参数比较多，比如磁芯对抗直流的能力等，就很难说电感量的大小对磁芯饱和程度的影响了！
写的好,能再具体的就更好
其实2楼的那个公式已经能够说明问题了。3楼的回答相当于对2楼回答增加了具体的约束条件。单就电感饱和而言，就用2楼的计算公式。这个是一个基本量。考虑全面，就是电感线圈中是否有直流分量。如果有直流分量，那依2楼公式计算合适的参数，在这种情况下就可能饱和。而且直流分量越大，越易饱和。
仔细看看，二楼和三楼的公式是一样的，只是变形了而已！我回答，是因为二楼的论述和结论都是不对的！你能指出是哪里不对吗？
人家楼主都说其他条件不变，我自然是固定其他三个量来讨论dB和L的函数关系，这是数学上最最最基本的分析方法，不知道有什么不对。
我之所以不用2楼的公式论证，是因为L变化的时候，dI也会跟着变化，这个可不是楼主说一声其他变量不变，然后都不变了，呵呵，由于有三个变量，没办法论证！ 换公式后，我们能控制V不变，D不变，Ae不变，只是N和dB两个变量，所以能够说明问题！按你的逻辑，我也可以说，V不是你说不变就不变的。
这明显很搞笑，你用一个别的限定条件下的结论论证了另一个限定条件下的结论是错误的。
就像你说“N越大，L越大”，这是限定了气隙长度
我能限定N，用气隙越大，L越小来说明你是错误的吗？这位兄台，不带这么卖关子的。即然指出人家有不合适的地方，就拿出自己的论点来进行说明。不要只给出你自己的结论，但没有论证过程。
我列举了一个公式来说明楼主的问题，不知道还需要什么论证过程，论证这个公式怎么来的吗？
这个公式是通过安培环路定律，法拉第电磁感应定律，电感定义式推导出来的，我记得赵修科老师的书上有推导。
而且他的回答中，N是变化的，我的回答中，N是固定的，这根本不是一回事。
N若固定，那么L怎么样才能变化，显然是气隙长度变化，再列举一个公式
L1/L2=(le/u)/(la+le/u)
其中L1是有气隙时的电感量，L2是没气隙时的电感量，le是磁芯的磁路长度，la是气隙长度，u是相对磁导率
举个例子，PC40材质，u取2300，le取9.7cm，加了la=4mil(0.0102cm)的气隙，可以算出
L1/L2=0.29
有4mil气隙时电感量只有没气隙时的0.29了。
那么是L1时容易饱和呢，还是L2时容易饱和呢
显然是没开气隙的，量很大的L2容易饱和。
这个就是我从上面那个公式定三议二派生出来的东西。
要说错误，他列的公式倒是错误的，应该是N=V*D/(Ae*B*f)，f是开关频率
你说的不错，那个公式确实不对，应该把D换成Ton！ 但是这个并不会影响论证！
你用开气隙的和不开气隙的比较是无意义的！
无气隙只是气隙小的一种极端形式而已。
感量大容易饱和,我是做磁材出生的,对这个很了解.
你可以试一下,拿电感去加电流,感量高的加电流后感值很快掉下来了,而感量小的掉的慢(下降比).
增加GAP可以降低电感,这样就不会那么容易饱和了.
最后推荐一颗我司的新料给楼主研究一下.
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