本人在做电子负载的时候遇到个问题始终解决不了，所设计的电子负载应用于光伏阵列的伏安特性测量，开路电压为130V左右，短路电流为6A，最大功率点大致在电压120-100V，电流4-6A。之前的电路采用电压反馈型，老是烧MOS管，后来看了论坛以为是SOA太小，就选了SOA满足要求的IGBT管，SOA区域完全满足要求，可是还是会烧管子（主要是CE短路，mos对应的是DS短路）但是是在不热的情况下就烧掉了。百思不得其解啊？！
下图为IGBT 性能参数和SOA、设计的压控电路图
你這不燒才怪.....
當電壓輸入時, 電壓只要超過DA給的電壓, MOSFET馬上通, 且電壓越高導通電流越大, 且超過電流時, MOSFET根本無法關段, 所以不管任何電壓, 只要超過DA點電壓, 都只有MOSFET_RDSon+0.5R的阻抗
假設你輸入100V, MOS_RDSon=10mR 則電流為100V / 0.5R+10mR MOSfet怎承受的了?
把DA端連接一顆電阻到 Mosfet_S端, 然後再從DA端, 連接一顆電阻到原來DA控制端, 利用DAV+ V0.5R分配控制你的電流點, 達成定電阻模式..這樣才不會燒管........
感谢您的回复！是这样，光伏电源是一种特殊的电源，可以把它想象成一种电流源，那么它的短路电流就是所能输出的最高电流，我的光伏型号短路电流为6A，所以是不会超出SOA区域的。光伏电源I-V特性曲线图
我做光伏逆變系統的怎不知道光伏電池......
那你是要測 Isc 就對了, 但你沒有抓電流信號怎會知道Isc是多少? 你那電路最麻煩一點就是:
常態, 光福特兩端分壓電壓不會高過DA, 所以MOS是不會導通, 當你送信號讓光伏短路, 是要從DA送出LOW信號, 可是你並沒有抓取流過MOS電流, 而是任由
光伏Vmp直接灌到Mos兩端, 此時Mos轉態時, 高RDSon 也必須承受Isc, Mos 怎能不掛勒....若是這樣, 那你乾脆把MOS換成Relay, 利用電晶體控制Relay 線圈導通20mS後再放開就好了.........
明白您的意思了，我的控制思路一开始使DA信号高于反馈信号，然后逐步降低DA电压，直到接近0，然后快速回到初始值，完成一次扫描，中间每一次降压的停留时间为20ms，并不是只是当做开关管使用，是要采集一整个过程中的点，不单只有短路电流点 这个SOA图是理想散热条件下的，实际情况下核心温度往往会超，有实物图片吗？ 确实有这种可能，因为直接将管子作为负载来用，核心温度有多少就无法知道了。我设置的停留时间很短，只有20ms，外表的温度也不高的情况下，就有去无回了。。我找遍了英飞凌的MOSFET和IGBT才找到这种SOA大的，这种都不行的话，是否说明电压控制性是不行的？ 你这电路估计换成再大点MOS的也一样烧 能否详细说明下 建议改成恒阻或者恒流模式，并用多个MOS并联来降低热阻。 正在尝试中 电路中mos或IGBT要承受短路电流，通常IGBT的电流比MOS大，而一般的IGBT都会有短路数据，也就是短路后10us以内必须关断IGBT，否则就烧了，你这20ms肯定会坏的 实际上，我并未让IGBT达到短路，用DA控制到5V就马上关断了你這樣更慘, 表示IGBT不見的是處於完全導通狀態.......
用示波器與串電流表看看是不是像這樣的波形.....
如果真想這樣用, 好歹也加個快速的Driver, OP如果可以這樣推, 那就不叫OP了.....
是的，是这么用的，有没有好的driver推荐呢？我想着这个区域内采集电流、电压点，速度又不能太慢，要怎么设计才行？ 用比較器加圖騰柱........ 非常感谢您热心的帮助我能说这图本身有问题吗？
为了不烧管，可以加限流保护进行调试；
这图在没有DA或者DA小于取样电压的情况下，只要光伏有电，IGBT都是开通的，由于没反馈到驱动级，电阻上的电流限不住……
我分析,
如果运放先供电,在IGBT供电前,其栅极已是最高电压,只要IGBT一供电,开机就是IGBT短路,烧鸡
如果光伏先供电,运放后供电,IGBT栅极上的电压应该是慢慢上升,IGBT电流慢慢上升,炸鸡.
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