本设计使用的AT25DF041A芯片是一个串行接口的闪存设备，灵活的架构AT25DF041A擦掉、消除粒度小至4 KB，使它非常适合数据存储，不再需要额外数据存储E2PROM设备。
4 软件设计
本设计的软件主要有硬件层配置和显示驱动函数。硬件层配置主要是对STM32 的I/O 口的输入/输出和FSMC 相关的寄存器配置。显示驱动函数主要是向TFT彩屏发送控制命令和数据，另外还有一些简单的画图函数。
4.1 FSMC简介
FSMC是灵活静态存储控制器。STM32芯片可利用FSMC 控制NOR FLASH、PSRAM 和NAND FLASH 存储芯片［3］。这里，只使用FSMC 的NOR/PSRAM 模式控制LCD，所以只需分析NOR FLASH 控制信号线部分。
STM32 寻址空间的地址映射中的0×60000000 ~0x6FFFFFFF 是分配给PSRAM、NOR FLASH 这类可直接寻址的器件。当外部接了NOR FLASH，并且FSMC外设被设置为正常工作，当向0×60000000 地址写入数据0xFFFF，FSMC会自动把数据转化成各信号线上相应的电平信号写入数据。
4.2 用FSMC模拟8080时序
FSMC写NOR 时序跟8080接口的时序是十分相似的，对它们的信号线对比如表1所示。
为了模拟出8080 时序，把FSMC 地址线中的A0 连接8080的DCX，当A0为低电平时，数据线D［15:0］的信号会被理解为ILI9341命令，若A0为高电平时，传输的信号则会被理解为数据。所以传送数据时只需向地址为0x6xxxxxx1，0x6xxxxxx3，0x6xxxxxx5 这些奇数地址写入数据，此时地址线A0（D/CX）会为高电平；需要发送命令时向0x6xxxxxx0，0x6xxxxxx2，0x6xxxxxx4 这些偶数地址写入数据时，地址线A0（D/CX）会为低电平，这个数据会被理解为命令。在代码中利用指针变量，向不同的地址单元写入数据，就能够由 FSMC 模拟出8080 接口向ILI9341写入控制命令或GRAM的数据了。扁平线圈电感制造厂
这电路老烧13003，求各高手帮忙
要是反馈相位没有搞反的话，就是过流引起的烧毁已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/这原理图怎么把全桥整流输出的正负极画反了……楼主你
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反激电源，启动时通过MOS的电流有尖刺过冲，如图，那 这是用SY5830做的一个30W/700mA的简单的反激电源，在开启启动时，发现通过MOS的电流波形是这样的，请问这尖刺电流是怎么来的？
看起来蛮奇怪的，看似干扰信号对pfc型芯