IEC 规定了两种系统级测试：接触放电和非接触放电。使用接触放电方法时，测试模拟器电极与受测器件 （DUT） 保持接触。非接触放电时，模拟器的带电电极靠近 DUT，同 DUT 之间产生的火花促使放电。
表 1 列出了 IEC 61000-4-2 标准规定的每种方法的测试级别范围。请注意，两种方法的每种测试级别的放电强度并不相同。我们通常在4级（每种方法的最高官方标称级别）以上对应力水平进行逐级测试，直到发生故障点为止。
表 1 接触放电和非接触放电方法的测试电平
器件级模型和系统级模型有一些明显的区别，表 2 列出了这些区别。表 2 中最后三个参数（电流、上升时间和电击次数）需特别注意：
l 电流差对于 ESD 敏感型器件是否能够承受一次 ESD 事件至关重要。由于强电流可引起结点损坏和栅氧化损坏，8-kV HBM 保护芯片（峰值电流5.33A）可能会因 2-kV IEC 模型电击（峰值电流 7.5A）而损坏。因此，系统设计人员不能把 HBM 额定值同 IEC 模型额定值混淆，这一点极为重要。
l 另一个差异存在于电压尖峰上升时间。HBM 的规定上升时间为 25ns。IEC 模型脉冲上升时间小于 1ns，其在最初 3ns 消耗掉大部分能量。如果 HBM 额定的器件需 25ns 来做出响应，则在其保护电路激活以前器件就已被损坏。
l 两种模型在测试期间所用的电击次数不同。HBM仅要求测试一次正电击和一次负电击，而 IEC 模型却要求 10 次正电击和 10 次负电击。可能出现的情况是，器件能够承受第一次电击，但由于初次电击带来的损坏仍然存在，其会在后续电击中失效。图 1 显示了 CDM、HBM 和 IEC 模型的 ESD 波形举例。很明显，相比所有器件级模型的脉冲，IEC 模型的脉冲携带了更多的能量。扁平线圈电感制造厂
为什么全桥电路变压器原边电压振荡厉害呢？ 做全桥拓扑时，变压器原边电压振荡严重是什么原因呢？
恳求解答，不胜感激。
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