为满足客户对非易失数据存储的要求，设计师通常会使用一个串行EEPROM。这些EEPROM器件体积很小、价格便宜、而且在市场上已经被长期使用，设计工程师使用这些器件非常便利。但是在当今对成本非常敏感的市场领域，增加一个并不昂贵的EEPROM可能会使设计超出预算。
很多处理器使用闪存存储程序代码，使用静态RAM存储数据信息。尽管充分利用闪存未使用的部分作为非易失数据存储很有吸引力，但是传统的哈佛架构制约了这种应用。MAXQ架构属于哈佛架构，具有独立的代码和数据总线。但MAXQ器件包含的硬件部分可以实现伪冯诺依曼架构，如同访问数据空间一样访问代码空间。这种额外的多功能性，结合MAXQ的效用函数，可实现存储器的擦写服务，为完整的可读写非易失存储子系统提供了解决方案。
关于闪存的基本考虑
闪存是一种电子可擦除存储。通常也被认为是“主读”。简言之，尽管闪存是可写的，但数据更新并不会很频繁，多数的操作都是读操作。多数闪存器件从字面意思来讲都是可写的，但每次只能整块擦除。这使得那些存储器件通常都不适合用于易变存储，只适合用作从不改变内容的固定数据存储。
有两种类型的闪存：NAND闪存和NOR闪存。NAND闪存用在存储卡和U盘中。通常，由于数据按时钟串行传输，从NAND器件中读数据需要数个周期。这种有序的操作使NAND闪存不适合用作程序代码存储，因为读取时间会太长。相反，NOR闪存类似传统字节宽度或字宽度存储。读取NOR闪存就像读取 ROM器件：先发器件选择和地址命令，在等待足够的存取时间之后，从总线上读取数据。NOR闪存用于MAXQ处理器中。
MAXQ处理器的闪存
MAXQ处理器中使用的闪存单元被擦除时会变成“1”状态。因此，在擦除后，存储单元中的每个位置都将包含0xFFFF。对某一存储位置进行编程会把某些位从“1”变成“0”状态。为了使被编程过的位重新变回“1”状态，整个单元必须被擦除。扁平线圈电感制造厂
uc3846的ct电容老坏最近发现逆变电源的uc3846的ct电容坏的频率较高，ct电容是15nf和3.3nf并联，封装是1206的，驱动频率大概21khz贴片容易坏的话，改插件电容。也可以用0603的AVX的电容试试。
为什么
做400WPFC+LLC的LED恒流驱动，辅助电源的问题。 做40串10并的400W LED驱动，采用前级PFC+后级LLC的方案。
前级我做，后级我师弟做。
PFC采用PI的PFS726芯片，峰值功率可达到540W；后级采用PI的LCS708方案，输出最大功率440W
高低压隔离电路实际要在rf和rf_1之间加一个传感器L，V1V3模拟差分的高压（先用20V调试,实际为600Vp）输入信号激发传感器L产生低压回波信号（1mv左右）,V2控制Q1-Q4四个mos的通断，将高压隔断，低压导通