图2. 典型的数据页面
要注意这种方案并没有涉及重复记录的问题。因为重复记录不会有问题。事实上，读和写程序都会完全忽略重复记录。写操作时，不管同样编号的记录是否存在，新记录都会写在阵列的末尾。当读操作时，只有符合请求记录编号的最后一个(所以是最近的)记录可以读到。
从阵列中读取数据元会比写操作更复杂。读功能会收到数据元编号和数据元应该写入的地址。当执行此命令时，读操作会从阵列的最开始进行搜索。当它找到一个记录符合被请求的数据元，它会保存这个地址并继续搜索。当它找到另外一个匹配的记录时，读命令会用新地址替代已保存的地址。当搜索到阵列的末尾时，保存的地址就会是符合请求记录的最近写入的记录。当执行读操作时，就会把这个数据复制到缓存中。
尽管所介绍的用来从存储阵列中保存和读取记录的主读机制是可行的，还会存在一个问题：没有机制可以重新使用被过时的记录占用的空间(也没有机制可以删除记录。但由于这种方案是针对嵌入式应用开发的，所以可能不会是个很严重的问题。)。如果不重新恢复一些空间，这些之前被分配的空间会很快用尽。由于闪存只能每次擦除一整个页面，恢复空间意味着擦除整个页面。另外一个更严重的问题是闪存页面不能被随便擦除，会存在删除有用信息的风险。唯一的可选方案是在删除整个旧页面之前，把有用信息复制到一个新页面。
从废旧的记录中恢复空间有三个步骤。第一，打开新页面，把每个数据元的最近版本复制到新页面中。第二，擦除旧页面。第三，对新页面做页面标示，是读命令可以找到新页面。
第一个步骤比较复杂，需要更详细的检查。完成这个步骤最简单的方法可以分成两个子步骤：第一，使用一个RAM保存记录编号和阵列中最近记录的地址;第二，从RAM阵列逐一复制最近记录到新闪存页面。这个过程最快，并且相对简单。扁平线圈电感制造厂
uc3846的ct电容老坏最近发现逆变电源的uc3846的ct电容坏的频率较高，ct电容是15nf和3.3nf并联，封装是1206的，驱动频率大概21khz贴片容易坏的话，改插件电容。也可以用0603的AVX的电容试试。
为什么
做400WPFC+LLC的LED恒流驱动，辅助电源的问题。 做40串10并的400W LED驱动，采用前级PFC+后级LLC的方案。
前级我做，后级我师弟做。
PFC采用PI的PFS726芯片，峰值功率可达到540W；后级采用PI的LCS708方案，输出最大功率440W
高低压隔离电路实际要在rf和rf_1之间加一个传感器L，V1V3模拟差分的高压（先用20V调试,实际为600Vp）输入信号激发传感器L产生低压回波信号（1mv左右）,V2控制Q1-Q4四个mos的通断，将高压隔断，低压导通