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[DCDC]升降压,我们需要怎么样的拓扑
作者:    来源:    时间:2023-04-21 10:09:02浏览量:

本帖最后由 tianxj01 于 2019-8-30 11:08 编辑 经常有网友上网求助,要求一节锂电输入,稳压输出3.3V,功率要求不高,100mA,有没有好的推荐...云云...云云。

我们知道,DCDC里面,BUCK,集成的多了,不过,只能降压。

我们也知道,BOOST,集成的也很便宜,但是只能升压。

那么有没有一个简单的拓扑,可以实现升降压呢?答案当然是有的,那就是BUCK-BOOST。

下面就是一个典型的BUCK-BOOST线路。

这个线路,输出电压可以高于输入电压,也可以低于输入电压,在CCM模式,50%占空比,则输出≈输入电压。

太好了,这不就解决了前面提出的问题了吗?嘿嘿,别高兴的太早,没注意到吗?这个线路,输出电压是负值。

看了问题还是没有得到解决,那该怎么办呢?你们可别和我说凌力特的4 MOS管多拓扑DCDC升降压芯片哈,它的复杂和价格都太令人深刻了。

下面解决的办法来了,就是下面这个线路,这个是BUCK-BOOST的变形,这个就可以实现目的。

这里,增加了一个MOS,增加了一个整流管,输出极性就扭过来了,变成了正极性,还是同样的,当CCM模式,50%占空比则输出≈输入电压。

怎么看起来这么眼熟呢?你没看错,这个线路和双管正激非常的像,只是..........只是D2变成了整流输出而不再是接到VCC了,同样的这里如果是2个 N  MOS管,则他们也是同时导通的,拓扑很安全,不会因为错误控制导致直通等的不利情况。

好了,现在问题又来了,我只需要一个低功率的升降压,这里2个N MOS管虽然同极性控制,可是Q1需要自举升压,这弄起来线路太复杂了嘛,是的,你吐槽的不错,这样控制起来是太复杂了,那么,现在我们换个思路,既然我输入电压都不高,Q1换成P MOS管,栅极控制就简单了对吧,只是控制逻辑反了而已,接着我们又想到自驱动,对就是自驱动,我们不就可以获得反相驱动信号了不是?好了,废话多了点哈,实际线路来了:看看21电源网贴的,就是好好的还记得买几毛钱的PT1301吗?不就是一个升压小IC嘛,这里,IC内部输出开关管就是Q2了,Q1换成了P MOS,栅极由芯片输出端LX脚经过C隔离,直接驱动,这里,实际上驱动P MOS管的,是芯片内部N MOS的D极,由此我们获得了反相极性的自驱信号,虽然,这信号和N MOS管栅极信号比,会有一定延迟,这里要的就是直通不是,所以实质结果只是直通时间稍微缩短了那么一点点,无伤大雅不是?至少这样做,我们大大简化了线路实现手段。

现在总结一下这个线路,一个超小型的CD4的贴片电感,一个sot23-6芯片,一个SOT23管子,2个SOD323肖特基,几个贴片,2个小电解,体积is very small..........成本呢?1元不到.......请允许我买个小小的关子,事实上,图上面少画了一个器件,就在P MOS管栅极到VCC之间,如果你看出来了,那么说明你真正懂这个线路和波形了。

对!上面少了一个箝位的肖特基,必须放在P MOS栅极和VCC之间,这样,LX端的PWM输出波形,才能正确的箝位到P MOS管驱动电平幅度(3.3V而且是稳幅的哦)。

一般,这样的应用,很多需要对芯片进行sleep睡眠处理,以降低功耗,正好,芯片有CE端子,如果你有这方面需要,直接控制CE端子,就可以实现芯片休眠功能。

同时也实现了整个DC变换器休眠功能。

最后,还得吐槽一下现在21IC传图片都不正常,传上去用别手段发出来居然才一点点大,看我在21电源网借地方贴的,就是好好的,不折腾了,就用21电源网的图片,大家才能看得清楚。

本帖最后由 tianxj01 于 2019-8-29 16:02 编辑 发帖不能正确贴图,我只能用另外一个帖子来贴如果是小功率而言,为何不考虑采用sepic电路结构呢?

伟林电源 发表于 2019-8-29 16:40如果是小功率而言,为何不考虑采用sepic电路结构呢?
图3线路,理论上,同功率电感比SEPIC小一号,而且,SEPIC得用2个,还得有耦合电容,从器件应力到材料成本,都是该线路占优可以的buck & boost很多年前,有人用34063这么玩

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  • 这个三端稳压元件起什么作用?


    这是德国产的电动叉车控制器中的电路。VC是电池经过钥匙开关过来的电源,B+到逆变器中的电容组。电池经过接触器到B+,这个78m12这种接法起什么作用?




    电路大概是这样

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