目前，漏电保护器作为一种新型的低压保护电器无论在城市还是在乡村安装使用非常普遍，它工作的可靠性直接影响人身安全。在美国是政府强制规定推行的用电安全保护装置，并且每两年必须更换。我国对漏电保护器的使用虽然没有强制规定更换的年限，但从用电安全的角度考虑，定期对漏电保护器工作性能检测是必须要做的。本文介绍了漏电保护器动作特性自动测试仪，可测量和记录漏电保护器的触头分断时间、漏电动作电流和不动作电流，提供了改善漏电保护器工作性能的重要技术指标，检测自动化水平高，能检测在线与非在线运行的漏电保护器。
1 硬件设计方案
反映漏电动作性能的主要3个参数是：额定漏电动作电流（I△n）、漏电动作时间和额定漏电不动作电流（I△n0）。
I△n表征漏电动作的灵敏度，是漏电保护器的漏电动作电流值。漏电动作时间是指对漏电保护器施加漏电动作电流到切断电路为止所需的时间。I△n0是防止漏电保护器误动作，国家标准规定的不动作的漏电电流值，通常取0.5I△n。
测试漏电动作电流的方法是：从小于0.2I△n开始施加测试电流，在30s内线性地增加至I△n， 若漏电保护器断开瞬间的电流值为I△，当满足I△n0n0《I△《I△n时，漏电保护器的漏电动作电流值为合格。因此，测试的漏电电流值均匀增长将直接影响测量的准确度。使用传统的手动和电机驱动调压器的方法很难使测试漏电的电流值均匀增加，难以控制测量的随机误差。采用单片机实时控制漏电的电流值，使漏电电流均匀增长，能有效提高测量的准确度。图1所示为漏电保护器动作特性测试仪的结构框图。
MOSFET驱动驱动芯片UCC27324D，驱动上下半桥的，第一次做硬件，我想试一下驱动电路好不好，用的驱动芯片的典型应用原理图如下图，INA由DSP给3.3V的脉冲，我只测A路驱动的好坏。 请前辈们指导，谢谢问题：1判断驱动好坏是不是看mosfet的GS端波形幅值是不是12V左右，或者看输出OUTA的波形幅值是不是12V左右的方波（示波器接OUTA，探头地接芯片GND）2.mosfet的30V电源地是不是和三角形地不供地？关键在于，如果你用上图的电路去测，mos管会立马烧掉。 你这是要看看到底是MOS管
常用DC/DC电源芯片介绍1.高达60VDC电压输入, 3A电流输出芯片:
LM2576HV系列:1125460273.pdf
2.高达40VDC电压输入, 3A电流输出芯片:
LM2576系列:1125460273.pdf
LM2596系列:
1125460425.pdf
3.高
请教大侠，DDPARK封装的MOSFET，一般能承受多少W的请教大侠，DDPARK封装的MOSFET，一般能承受多少W的损耗？10W么，这个根据散热条件怎么分啊，有经验的分析下。谢谢！
这也是我想问的。我知道的是，得捷上有专用的散热片，形状特别。