图1 测试仪构成框图
测试仪以单片机ATmega32为核心，扩展可编程的漏电电流源、漏电电流的检测电路、触头状态的监测电路、键盘和显示等外围设备。ATmega32是基于增强型AVR RISC结构的8位微控制器，指令集先进，指令执行时间采用单时钟周期，速度是普通8051单片机的8~12倍。工作频率达16MHz，片内32K字节Flash程序存储器、1个硬件16位定时器和2个8位定时器、4路PWM输出、8路A/D转换、1个全双工异步串行口、32个通用I/O口。具有低功耗、高速、超强抗干扰等优点，在同类产品中具有较高的性价比。
1.1 可编程漏电电流源
保证测量准确性的关键是可编程漏电电流源能产生均匀变化的漏电电流，该漏电电流源由50Hz的正弦波发生器、交流量数摸转换电路构成。
1.1.1 50Hz正弦波发生器
50Hz的RC正弦波振荡电路由运算放大器组成。稳定振荡信号的幅度是采用非线性负反馈，同时，采用低温度系数的电阻与电容元件构成RC正弦波振荡电路的选频电路，保证振荡频率的稳定，为了提高带负载的能力，正弦波输出信号经过电压跟随器输出。
1.1.2 交流量数模转换电路
图2 交流量数模转换电路
交流量数模转换电路是可编程漏电电流源的核心部分，正弦交流量振幅的大小是通过改变数字量来控制，具有良好的线性度。用DAC08 08构成数模转换电路，该器件是二进制快速乘法式8位D/A芯片。交流量数模转换电路如图2所示。为了保证实现数字到正弦交流模拟信号的转变，图中VD是预置直流偏压，大小等于50Hz正弦波发生器输出信号漏电保护器智能化测试仪的设计的幅值。扁平线圈电感制造厂
MOSFET驱动驱动芯片UCC27324D，驱动上下半桥的，第一次做硬件，我想试一下驱动电路好不好，用的驱动芯片的典型应用原理图如下图，INA由DSP给3.3V的脉冲，我只测A路驱动的好坏。 请前辈们指导，谢谢问题：1判断驱动好坏是不是看mosfet的GS端波形幅值是不是12V左右，或者看输出OUTA的波形幅值是不是12V左右的方波（示波器接OUTA，探头地接芯片GND）2.mosfet的30V电源地是不是和三角形地不供地？关键在于，如果你用上图的电路去测，mos管会立马烧掉。 你这是要看看到底是MOS管
常用DC/DC电源芯片介绍1.高达60VDC电压输入, 3A电流输出芯片:
LM2576HV系列:1125460273.pdf
2.高达40VDC电压输入, 3A电流输出芯片:
LM2576系列:1125460273.pdf
LM2596系列:
1125460425.pdf
3.高
请教大侠，DDPARK封装的MOSFET，一般能承受多少W的请教大侠，DDPARK封装的MOSFET，一般能承受多少W的损耗？10W么，这个根据散热条件怎么分啊，有经验的分析下。谢谢！
这也是我想问的。我知道的是，得捷上有专用的散热片，形状特别。