根据图示电路，可得到如下关系：
从式（5）可见，当电阻R1、R4、R5、R、Rf为定值时，输出电流的大小与RL无关，仅由数字量控制。当A1、A2、…A8全为“1”时，调整电路参数，使IL=0.5A， 当A1、A2…A8全为“0”时，使IL=0A.0~0.5A的电流变化范围完全满足我国目前生产的漏电保护器的测试要求。为了提高测量速度，在保证模拟漏电电流准确度的条件下，将输出电流分为50mA、100mA、200mA和500mA四档，各档的选择由ATmega32切换电阻R1的大小来实现。在不同的挡位，电流增加的数值大小是不一样的。当选50mA档位时，电流是按照0.196mA（50mA/255）递增；当选择500mA档位时，电流是按照1.96mA（500mA/255）递增，因此，可完全满足为漏电保护器提供线性增加的漏电电流的要求。
1.2 触头状态监测电路
触头状态监测电路如图3所示。漏电保护器动、静触头闭合时，L1与L2的交流电通过整流、滤波和稳压，使光电耦合器G3 导通，反相器A的2脚输出为高电位。当漏电保护器动、静触头分断时，光电耦合器G3截止，反相器A输出2脚为低电位，作为漏电检测结束的时刻。在漏电保护器动、静触头闭合时，光电耦合器G3的电流通过漏电保护器的一相动、静触头，电流大小为1~2mA，由于是直流，不会在漏电保护器中的零序电流互感器的二次侧产生感应电流，对漏电保护器的漏电动作电流没有影响。
图3 触头状态监测电路
1.3 控制电路扁平线圈电感制造厂
MOSFET驱动驱动芯片UCC27324D，驱动上下半桥的，第一次做硬件，我想试一下驱动电路好不好，用的驱动芯片的典型应用原理图如下图，INA由DSP给3.3V的脉冲，我只测A路驱动的好坏。 请前辈们指导，谢谢问题：1判断驱动好坏是不是看mosfet的GS端波形幅值是不是12V左右，或者看输出OUTA的波形幅值是不是12V左右的方波（示波器接OUTA，探头地接芯片GND）2.mosfet的30V电源地是不是和三角形地不供地？关键在于，如果你用上图的电路去测，mos管会立马烧掉。 你这是要看看到底是MOS管
常用DC/DC电源芯片介绍1.高达60VDC电压输入, 3A电流输出芯片:
LM2576HV系列:1125460273.pdf
2.高达40VDC电压输入, 3A电流输出芯片:
LM2576系列:1125460273.pdf
LM2596系列:
1125460425.pdf
3.高
请教大侠，DDPARK封装的MOSFET，一般能承受多少W的请教大侠，DDPARK封装的MOSFET，一般能承受多少W的损耗？10W么，这个根据散热条件怎么分啊，有经验的分析下。谢谢！
这也是我想问的。我知道的是，得捷上有专用的散热片，形状特别。