但是也有挑战。Nandra说，gm和gd较低，而栅极泄漏较大，栅极电容要比同样尺寸的平面器件大两倍。正如Soenen所指出的，大家都知道的一点是，FinFET栅极宽度是量化的：圆晶上的每一个晶体管都有相同的标称栅极宽度。因此，习惯于对每一晶体管采用w值的模拟设计人员只能并行采用一组同样的FinFET——实际上，w作为电路参数可以是连续变量，直至一组正整数。
布板问题
通过采用多个最小宽度晶体管来替代宽度可调晶体管，量化会改变布板习惯。Nanda说，例如，Synopsys有一款工具将栅极宽度比例转换为所需的翅片数。但是在另一讨论组的研讨中，Cadence硅片流程副总裁Anirudh Devgan提出了更严重的布板问题。
Devgan说：“采用更先进的几何布局后，多模式会更加复杂。随着复杂度的提高，很难预测设计规则错误。错误与环境相关。”
有些规则是熟悉的：例如，减小耦合的间隔规则，平板印刷的形状规则等。双模式增加了颜色规则，以保证最精细的模式能够分成两个独立的掩膜。还有相对较新的布板相关效应，Devgan指出了其中的六个——包括非常接近和多间隔等，这对晶体管行为有很大的影响。为说明问题的严重性，Devgan指出，在20 nm已经有5，000条布板规则需要进行检查。
对于模拟设计人员和数字单元库开发人员，这么复杂的结果是，几乎不可能开发DRC结构干净的布板。由于提取和DRC带来的布板问题，设计人员必须预测多次迭代。Devgan提醒说：“这需要几个星期的时间。40%的设计时间都花在收敛上。”
建模挑战
除了晶体管行为上的这些不同之外，电路设计人员在FinFET上还遇到了其他一些问题：仿真模型在结构上与平面MOSFET不同，会更复杂（图2）。Trihy提醒说，“如果您看一下模型，杂散电容的数量增加了十倍。还不清楚桌面驱动的仿真器能否处理FinFET。”扁平线圈电感制造厂
SI3116 稳压IC是谁家的IC啊求助！！！！客户要我们做一个样机，要一模一样的！上面有个DC-DC buck SOT-23的恒压IC！上网搜了一下，应该和ME3116相似！但ME3116的规格书没有找到，请有用过这和IC的兄弟帮忙提供一下SPEC我
单电源运算放大器输出不能实现轨对轨摆动 单电源运算放大器不能真正实现输出的轨对轨摆动。接近轨时，放大器呈现出非线性。对线性工作，单电源放大器的输出每轨都能达到50到300mV（图1）。单电源放大器，轨对轨输出的广告造成安全的错觉。图1显示
[开关电源]准备用全桥做功率较大的充电器，有谁介准备用全桥做功率较大的充电器，需要有源功率因数校正，有专用的APFC驱动芯片吧？有谁介绍常用的APFC驱动芯片？全桥级别的大功率？到这个级别，2KW级别包括以上则几乎是移相全桥的天下。 这个级别的，APFC还用专用所谓APFC芯片？没搞错吧，到这个级别，基本上是数字控制电源的天下，一个高性能32位机，就可以搞定APFC和全桥移相的所有驱动输出控制，更高要求的则采用DSP，反正我就没见过采用独立PFC芯片驱动的全桥啦。 tianxj01 发表于 2019-7-17 10:38全桥级别