图2.FinFET仿真器模型会非常复杂
即使是如此复杂，也并不是所有模型在所有条件下都正确。因此，对于不熟悉平面晶体管的用户，模型选择会与电路相关，可能也会与布板相关。Herrin同意，“有不同点，您必须知道模型的局限性。”
Nandra说，Synopsys一直结合使用SPICE和TCAD工艺模型，以及BSIM-4公共多栅极模型，以实现FinFET电路的精确仿真。他说，即使是在亚阈值区，BSIM-4也的确实现了精确的行为模型。但是，用在电路仿真时，模型会非常复杂。Nandra承认，“您必须采用结构相关的方法来解决杂散问题。”
Trihy继续这一主题。他问到，“器件模型会停在哪里，从哪里开始提取电路？采用FinFET电路，边界是模糊的。您可以依靠设计规则来限制交互，但是，最后，最重要的可能不是模型的精度，而是提取的精度。”Devgan在他一次发言中，提醒说，在某些情况下，可能需要现场解决问题，对复杂的紧密封装的3D结构进行精确的提取，FinFET电路会有这种结构。
新方法，新电路
晶体管行为、布板规则和建模方法出现了很大的变化，因此，适用于28 nm平面工艺的电路拓扑不太可能用在14 nm FinFET工艺上。量化会带来一些挑战。低电压、受限的gm以及大栅极电容会导致其他变化，包括，限制扇出，处理压缩动态范围等。Soenen提醒说， “这不是电源技术，但我们计划提供1.8 V FinFET。”Herrin解释说，例如，在嵌入式应用中，电压限制意味着完全不同的ESD电路，采用新方法来支持高电压I/O。扁平线圈电感制造厂
SI3116 稳压IC是谁家的IC啊求助！！！！客户要我们做一个样机，要一模一样的！上面有个DC-DC buck SOT-23的恒压IC！上网搜了一下，应该和ME3116相似！但ME3116的规格书没有找到，请有用过这和IC的兄弟帮忙提供一下SPEC我
单电源运算放大器输出不能实现轨对轨摆动 单电源运算放大器不能真正实现输出的轨对轨摆动。接近轨时，放大器呈现出非线性。对线性工作，单电源放大器的输出每轨都能达到50到300mV（图1）。单电源放大器，轨对轨输出的广告造成安全的错觉。图1显示
[开关电源]准备用全桥做功率较大的充电器，有谁介准备用全桥做功率较大的充电器，需要有源功率因数校正，有专用的APFC驱动芯片吧？有谁介绍常用的APFC驱动芯片？全桥级别的大功率？到这个级别，2KW级别包括以上则几乎是移相全桥的天下。 这个级别的，APFC还用专用所谓APFC芯片？没搞错吧，到这个级别，基本上是数字控制电源的天下，一个高性能32位机，就可以搞定APFC和全桥移相的所有驱动输出控制，更高要求的则采用DSP，反正我就没见过采用独立PFC芯片驱动的全桥啦。 tianxj01 发表于 2019-7-17 10:38全桥级别