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如何在集成电路中减少天线效应
作者:    来源:    时间:2017-01-22 10:10:23浏览量:
如摩尔定律所述,数十年来,集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知,这种高速增长的趋势总有一天会结束,人们只是不知道当这一刻来临时,集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展,集成电路密度不断增加,而栅氧化层宽度不断减少,超大规模集成电路中常见的多种效应变得原来越重要并难以控制。天线效应便是其中之一。在过去的二十年中,半导体技术得以迅速发展,催生出更小规格、更高封装密度、更高速电路、更低功耗的产品。本文将讨论天线效应以及减少天线效应的解决方案。


天线效应


天线效应或等离子导致栅氧损伤是指:在MOS集成电路生产过程中,一种可潜在影响产品产量和可靠性的效应。


目前,平版印刷工艺采用“等离子刻蚀”法(或“干法刻蚀”)制造集成电路。等离子是一种用于刻蚀的离子化/活性气体。它可进行超级模式控制(更锋利边缘/更少咬边),并实现多种在传统刻蚀中无法实现的化学反应。但凡事都有两面性,它还带来一些副作用,其中之一就是充电损伤。

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