等离子充电损伤是指在等离子处理过程中，MOSFET中产生的栅氧化层的非预期高场应力。在等离子刻蚀过程中，大量电荷聚集在多晶硅和金属表面。通过电容耦合，在栅氧化层中会形成较大电场，导致产生可损伤氧化层并改变设备阀值电压（VT）的应力。如下图所示，被聚集的静电荷被传输到栅极中，通过栅氧化层，被电流隧道中和。
显而易见，暴露在等离子面前的导体面积非常重要，它决定静电荷聚集率和隧穿电流的大小。这就是所谓的“天线效应”。栅极下的导体与氧化层的面积比就是天线比率。一般来讲，天线比率可看做是一种电流倍增器，可放大栅氧化层隧穿电流的密度。对于给定的天线比率来说，等粒子密度越高，隧穿电流越大。更高的隧穿电流意味着更高的损伤。
3种等离子制造过程 扁平线圈电感制造厂
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变压器的线包温度高，想问变压器屏蔽对温度是有什我用SY5840做一个60W，1400mA的反激恒流电源，输入电压230VAC，变压器用的是ER2834骨架，磁芯截面积81，匝比41：17：8，初级线径用两根0.35的，次级用3根0.55的，最里层用绕线饶了一层屏蔽。结
硅钢片电感器的设计大家好!
现有一款硅钢片电抗器参数为 额定电流 14A 额定频率50/60HZ
当L＝4.5mh 3% 则额定电流是为14A F＝50/60HZ
阻抗电压为24V时 则额定电流为14A F＝60HZ
DCR＝89.5mΩ 10%
看
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