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如何在集成电路中减少天线效应
作者： 来源： 时间：2017-01-22 10:10:23浏览量：
导体层模式刻蚀过程——累积电荷量与周长成正比。
灰化过程——累积电荷量与面积呈正比。
接触刻蚀过程——累积电荷量与通过区域的面积成正比。
天线比率（AR）的传统定义是指“天线”导体的面积与所相连的栅氧化层面积的比率。传统理论认为，天线效应降低程度与天线比率成正比（每个金属层的充电效果是相同的）。然而，人们发现天线比率并不取决于天线效应，还需要考虑布局问题。
布局对充电损伤的影响
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变压器的线包温度高，想问变压器屏蔽对温度是有什我用SY5840做一个60W，1400mA的反激恒流电源，输入电压230VAC，变压器用的是ER2834骨架，磁芯截面积81，匝比41：17：8，初级线径用两根0.35的，次级用3根0.55的，最里层用绕线饶了一层屏蔽。结
硅钢片电感器的设计大家好!
现有一款硅钢片电抗器参数为 额定电流 14A 额定频率50/60HZ
当L＝4.5mh 3% 则额定电流是为14A F＝50/60HZ
阻抗电压为24V时 则额定电流为14A F＝60HZ
DCR＝89.5mΩ 10%
看
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