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如何在集成电路中减少天线效应
作者： 来源： 时间：2017-01-22 10:10:23浏览量：
充电损伤的程度是一个几何函数，与极密栅线天线相关。但是由于刻蚀率的差异反映出的刻蚀延迟、等离子灰化和氧化沉积以及等离子诱导损伤（PID）的原因，使得充电损伤更容易受到电子屏蔽效应的影响。
因此，天线效应的新模式需要考虑刻蚀时间的因素，如公式1。而通过插入二极管或桥（布线）控制天线效应，可以更好地预测天线效应，如公式2所示。
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硅钢片电感器的设计大家好!
现有一款硅钢片电抗器参数为 额定电流 14A 额定频率50/60HZ
当L＝4.5mh 3% 则额定电流是为14A F＝50/60HZ
阻抗电压为24V时 则额定电流为14A F＝60HZ
DCR＝89.5mΩ 10%
看
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